外電消息報導，三星電子日前宣佈，將開始量產兩款30奈米製程的NAND快閃記憶體晶片。其中一款將採類似DDR記憶體的雙通道傳輸技術，其讀取頻寬將是傳統快閃記憶體晶片的3倍左右，最高可達133Mbps。
據報導，這款新的雙通道晶片若應用到快閃記憶卡中，將能保持60Mbps的讀取速率，較傳統快閃記憶卡的17Mbps快三倍左右。預料將可廣泛運用在智慧型手機，或者可攜式多媒體播放器等產品上，至於固態硬碟也同樣有運用的空間。
另外一款新記憶晶片，則是採用3位元儲存技術的快閃記憶體晶片產品，可比一般2位元晶片多50%的容量。不過這款產品目前主要是供行動應用，而不強調高速讀寫的性能。
三星表示，新的3位元記憶體晶片初期將應用在8GB microSDHC快閃記憶體卡中，隨後再逐步應用至更大容量的產品。至於另一款高速傳輸的記憶體晶片，三星則沒有透露其應用對象，僅表示目前只有部分OEM廠商使用這款晶片。
