先進半導體製程持續微縮，加上HBM、3D NAND與立體元件結構增加，CMP（化學機械平坦化）正從晶圓製程中的單一環節，轉變為影響良率的重要製程，也讓過去較少受到市場注意的研磨墊、研磨液等耗材價值相對地提高。
最新產業資料顯示，7奈米以下邏輯製程需要增加CMP步驟，GAA、HBM與3D NAND等複雜結構，也對晶圓平坦度及缺陷控制提出更高要求。CMP研磨墊除了必須維持穩定去除率，還要降低刮痕、顆粒及表面缺陷，因此高階產品逐漸導入多層與特殊溝槽結構。亞太地區目前更集中全球約70%至80%的CMP研磨墊需求，台灣、韓國、中國與日本都是主要市場。
晶片微縮增加平坦化製程，CMP材料價值隨HBM、GAA同步升級 。
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CMP供應鏈也不只是單一Pad，而是由漿料、墊片、調理劑及CMP後清洗等材料與耗材共同構成。隨晶圓價值提高，一片研磨墊本身占整體晶片製造成本或許有限，但若平坦度、均勻性或缺陷控制失準，卻可能直接影響高價晶圓良率，使耗材從「降低採購成本」轉向「確保製程穩定」。
CMP已成為觀察半導體材料國產化的重要環節。相較設備一次性資本支出，墊片、漿料及清洗材料具有持續消耗特性，但新材料要進入先進晶圓廠，仍須經歷漫長製程驗證。未來競爭關鍵將從單純價格，轉向缺陷控制、墊片壽命、均勻性及不同材料層的製程相容性。
