SiC與GaN重要性攀升 重塑電子產業設計與供應鏈格局 (2026.10.27)
根據全球電子協會（Global Electronics Association）與Accuris（工程情報與電子零件資料供應商）的最新研究，碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率元件在電子產業中的應用範圍持續擴大，影響範圍不僅止於零組件選用…
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NextGO Epi布局4吋氧化鎵磊晶 搶攻高效率電力市場 (2026.10.19)
隨著AI資料中心、高功率伺服器及能源轉換系統對電力效率要求持續提高，寬能隙半導體為功率元件技術升級的重要方向。由台灣創業者周大順在德國柏林創辦的NextGO Epi，聚焦氧化鎵（Ga?O?）磊晶材料開發，並且以4吋晶圓製造技術切入新一代功率…
從能量收集到儲能監控 貿澤資源中心支援能源系統開發 (2026.10.14)
再生能源加速導入，能源系統設計正從集中式供電延伸至分散式發電、儲能與終端裝置管理。貿澤電子透過線上替代能源資源中心，整合技術文章、電子書及元件資訊，協助工程師掌握智慧電網、能量收集與電力電子設計，將新興能源技術轉化為可擴充的實際應用。 資源…
盛新材料擴充SiC長晶產能 搶攻高功率元件供應鏈 (2026.10.13)
隨著電動車、工業電源及高效率電力轉換需求持續成長，第三代半導體材料碳化矽（SiC）逐漸成為功率電子產業的重要技術。台灣SiC晶錠與基板製造商盛新材料近日公布製程與產能布局，已具備6吋及8吋導電型、半絕緣型SiC晶錠與基板製造能力，並且持續推…
貿澤即日起供貨：TE Connectivity RayFlite RFHVE高電壓電源線 (2026.09.24)
提供種類最齊全的半導體與電子元件?、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨TE Connectivity RayFlite RFHVE高電壓電源線。因應高電壓與高海拔環境的需求所推出的Ra…
意法半導體全新電氣隔離閘極驅動器 以先進隔離技術簡化功率系統設計 (2026.09.24)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM，簡稱 ST）進一步擴充 STGAP3S 閘極驅動器系列。此系列採用強化電氣隔離設計，可提高可靠性；此次新增高效率且具成本效益的 3A 系列，適用於驅動電流…
貿澤即日起供貨安森美全新GaNEXUS GaN FET (2026.09.23)
提供種類最齊全的半導體與電子元件、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨安森美 (onsemi) 全新GaNEXUS氮化鎵場效電晶體 (GaN FET)。GaNEXUS GaN FET運用…
AI伺服器功率再升級 MLCC與高階PCB成新戰場 (2026.09.22)
AI伺服器供應鏈瓶頸正從GPU、HBM與液冷，進一步下沉至MLCC與PCB材料。隨著NVIDIA新一代Rubin平台提高運算效能與功率密度，韓國產業界預估單板MLCC使用量將由GB200約6,500顆提高至Rubin約1.2萬顆，高容量、高…
Microchip 1.2V時脈緩衝器實現最新SoC與FPGA和較高電壓元件間連接 (2026.09.09)
高效能 FPGA、SoC、AI 加速器及新一代 CPU 快速採用先進 FinFET 製程節點，市場對低電壓時脈驅動器的需求持續增加。目前標準 1.2V LVCMOS 時脈緩衝器，以及可將高電壓時脈訊號轉換至先進元件所需低電壓準位的準位轉換緩…
ROHM開發出業界最高等級Wide-SOA的MOSFET (2026.09.03)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載安全功能和保護電路開發出100V耐壓MOSFET「RS4P063BPHZG」。 近年來，隨著汽車電子化的發展，開始要求車載系統能夠滿足高電壓和高電流的需求。尤其是在安全功能和保護電路中，異常…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
AI伺服器推升高壓BBU需求 新唐導入菊花鏈技術強化電池監測 (2026.08.19)
生成式AI帶動資料中心運算密度與伺服器功耗快速攀升，也使得備援電源架構朝高電壓、高效率與高可靠度發展。新唐科技針對AI伺服器電池備援單元（Battery Backup Unit, BBU）推出16串電池監測IC--「KA49703A」與「K…
NVIDIA：擴展AI運算效能需要全新電力架構 (2026.08.13)
每一代全新的加速運算技術，都對底層基礎設施提出更高要求，包括更強大的運算效能、更高的機架密度，以及更高效且可擴展的配電能力。真正的瓶頸不只在於供電瓦數，更在於電力從電網被輸送至 GPU的方式。 在傳統供電架構中，電力透過交流電（AC）從電網…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
Aledia左擁微型顯示 右抱AI光傳 (2026.07.09)
Micro LED持續緩步前進，在智慧錶、透明顯示和車用顯示領域漸漸打開市場。而在AI當道的世界，Micro LED似乎又找到了另一個可以大顯身手的地方，也就是AI高速傳輸的領域，有機會進入矽光子光傳的供應鏈，成為在CPO架構中的一員，取代…
突破微型衛星動力挑戰 台灣研發自主電漿推進技術 (2026.06.24)
成功大學航空太空工程學系李約亨特聘教授率領ZAPLAB團隊，今日於國科會記者會中發表自研成果，該團隊成功研發創新式的「真空陰極電弧推進器(Vacuum Cathode Arc Thruster, VCAT)」與「真空電弧誘發脈衝電漿推進器(…
使用EMI濾波器強化電動車動力系統合規效益 (2026.06.23)
隨著電動車電子架構日益複雜，高功率逆變器所產生的電磁干擾已成為電磁相容性（EMC）認證的重要挑戰。透過標準化車規EMI濾波器設計，可有效抑制雜訊、縮短開發週期，並提升動力系統合規效率。…