美光台灣新廠計畫傳生變 半導體廠務與設備交付面臨考驗 (2026.11.06)
全球記憶體產業持續擴充先進製程與高頻寬記憶體（HBM）產能之際，美光科技（Micron）台灣新廠計畫傳出變數。根據11月5日外媒報導，美光因長期勞資爭議，傳出暫停在台灣投資最高45億美元的記憶體廠建設計畫，引發市場對先進記憶體擴產進度及台灣…
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韓國擴大半導體基礎建設 電力與用水設備成產業升級關鍵 (2026.11.03)
面對全球半導體產業競爭及先進製程持續升級，韓國政府正將晶片研發、製造聚落與能源基礎設施納入整體產業布局。韓國總統李在明11月2日於國會發表2027年度預算演說，提出總規模820.9兆韓元的預算案，其中規劃投入21.3兆韓元推動人工智慧及半導…
廣穎工控推出重量級新品系列 六款企業級 SSD 搶攻 AI 與資料中心應用 (2026.10.27)
全球工業級記憶體解決方案供應商廣穎工控推出六款全新企業級 SSD，鎖定 AI、資料中心儲存與系統開機碟等應用需求。新品涵蓋 E1.S、U.2、M.2 2280 與 2.5 吋 SATA 四種規格，並採用 3D eTLC Flash、進階控制…
台灣美光先進封裝與測試二廠正式啟用 深化AI時代高頻寬記憶體布局 (2026.10.15)
美光科技於台中舉行台灣美光先進封裝與測試二廠（Micron Advanced Assembly and Test Taiwan 2，AATT2）啟用典禮，總統賴清德、總統府秘書長潘孟安、經濟部部長龔明鑫、國科會副主委蘇振綱、中科管理局局長許…
微軟Maia 300擴大AI推論 台積電N2P與HBM4成關鍵 (2026.10.13)
隨著生成式AI從模型訓練轉向大規模推論服務，運算效能、能源效率及系統整合能力成為雲端基礎設施競爭核心。微軟推出新一代AI推論平台Maia 300，預計2027年將Azure Maia系列擴展至數GW（Gigawatt）規模，逐步成為旗下產品…
HBM之後是CXL AI記憶體競爭從頻寬走向容量共享 (2026.10.02)
AI伺服器記憶體競爭正由單純追求HBM頻寬，擴大至整個記憶體層次結構的容量與資料搬移效率。Samsung近期以CXL Memory Pool進行大型模型推論測試，將CXL記憶體作為KV Cache外溢空間；SK hynix也將HBM、伺服器…
HBM預估明年占DRAM產能近三成 記憶體排擠效應擴大 (2026.09.29)
AI記憶體的產能排擠效應正在進入更明確的量化階段。三星電子（Samsung Electronics）高層表示，HBM目前約占全球DRAM晶圓產能20%，預估明年可能逼近30%。由於HBM與一般DRAM共用部分晶圓製造能力，當記憶體大廠持續提…
HBM堆疊愈高良率愈難 先進封測成AI新瓶頸 (2026.09.24)
AI帶動的記憶體產能排擠效應正進入第二階段。過去市場焦點主要集中於HBM大量占用DRAM晶圓產能，如今隨著堆疊層數與頻寬持續提高，供應瓶頸正由晶圓容量往矽穿孔、鍵合、堆疊與測試端移動，封裝與測試逐漸成為決定HBM有效產出的另一道門檻。 HB…
HBM排擠後段產能 三星加速DDR5與SSD委外 (2026.09.23)
AI正在重新分配的不只是DRAM晶圓產能，連封裝、測試與模組組裝空間也開始重新洗牌。三星電子近期據悉擴大把DDR5記憶體模組與SSD新增產能交由外部合作夥伴承接，將韓國有限的內部後段資源優先配置給HBM與先進封裝。 HBM與一般DRAM最大…
Agentic AI推升資料存取 Storage躍升Token基礎設施 (2026.09.23)
生成式AI由模型訓練進入大規模推論，儲存ˋ以正從資料保存設備轉變成影響Token產出效率的核心基礎設施。GMIF 2026全球記憶體產業創新峰會9月23日在深圳舉行的，以「AI儲存，驅動未來」為主題，直接把Token經濟、AI推論、KV C…
AI推論擴大QLC需求 eSSD躍升資料中心核心元件 (2026.09.22)
AI基礎建設的記憶體需求正由高頻寬記憶體（HBM）、雙重數據速率（DDR）進一步延伸至企業級儲存 SSD。TrendForce最新調查指出，美系雲端服務商近期持續上調企業級SSD需求，第四季訂單可望超越第三季高點；供應商也開始把更多NAND…
AI重新分配記憶體產能 HBM排擠效應擴散手機與PC (2026.09.21)
AI資料中心持續擴建，全球記憶體供應緊張已從HBM擴散至一般DRAM與NAND，並開始影響手機、PC產品設計。路透指出，部分中小型手機與筆電業者正為可能延續至2027年甚至更久的記憶體短缺預做準備，除了提前下單，也開始修改主機板與產品規格，…
AI供應鏈美國製造再上移 SK海力士洽Intel合作 (2026.09.17)
AI供應鏈美國在地化正從伺服器組裝向半導體製造上游延伸。而SK海力士正與Intel洽談首次在美國製造記憶體的可能性，其中一項方案是租用Intel俄亥俄州晶圓廠部分產能，另一種可能則是與Intel及希望確保記憶體供應的雲端業者成立合資企業。不…
AI記憶體供應鏈重組 華邦電擴張車用工控版圖 (2026.09.17)
AI帶動HBM、DRAM需求快速增加之際，成熟型記憶體市場也重新洗牌。華邦電子宣布以11.2億美元現金收購英飛凌NOR Flash與F-RAM事業100%股權，交易預計2027年下半年完成。收購範圍涵蓋車用、工業及基礎設施等市場，完成後將以…
HBM4挑戰內部缺陷 X-ray成先進封裝新關卡 (2026.09.16)
HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量，新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合，製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷，…
HBM進入良率工程戰 3D檢測躍升AI記憶體關鍵設備 (2026.09.16)
AI晶片持續拉升HBM需求，記憶體競爭正在由容量、頻寬與傳輸速度，進一步深入「良率工程（Yield Engineering）」。隨著HBM從8層、12層往16層堆疊發展，TSV、Micro-bump與Bonding結構更加密集，任何單層DR…
晶圓廠開始搶電網 AI時代半導體擴產卡在電力 (2026.09.15)
AI算力競賽不只是讓資料中心搶電，連先進晶圓廠也開始面臨相同的瓶頸。韓國電力公社（KEPCO）原希望三星電子與SK海力士預付未來五年、合計約25兆韓元電費，用於提前建設半導體聚落所需輸電與變電設施，但兩家公司考量後續設備投資及財務負擔，決定…
High-NA EUV量產倒數 先進製程供應鏈全面重整 (2026.09.15)
AI晶片推升先進製程需求，半導體微縮競賽正由既有EUV邁向High-NA EUV。ASML最新High-NA曝光設備單價約4億美元，約為現行EUV兩倍，然而隨著Intel、台積電、三星及SK海力士陸續確認或規劃導入，High-NA已逐步由研…
ASIC接入NVLink NVIDIA把戰線拉到AI機櫃 (2026.09.11)
AI基礎建設競爭正從單顆GPU走向整座機櫃架構。AI推論晶片新創d-Matrix宣布，新一代Raptor XPU將導入NVIDIA NVLink Fusion，直接接入NVIDIA MGX機櫃與AI基礎設施平台。這意味第三方客製加速器不必與…
HBM卡住中國AI自主化 台先進封裝迎新機會 (2026.09.11)
中國AI晶片自主化正進入更困難的下半場。華為、寒武紀、沐曦等業者持續推出國產AI加速器，逐步降低對NVIDIA依賴，但真正限制系統效能與量產規模的關鍵，已由單純GPU／NPU設計能力轉向HBM高頻寬記憶體。HBM也因此成為中國建立完整AI算…