貿澤即日起供應全新Vishay功率模組 鎖定48V輕型電動車 (2026.11.04)
隨著輕型電動車與輕油電混合車朝向高效率、小型化發展，48V動力系統對功率元件的整合度、散熱與可靠性要求更高。貿澤電子即日起供應Vishay Intertechnology的VS-HOT200C080功率MOSFET模組，主攻輕型電動車牽引逆…
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英飛凌新款高壓熱插拔控制器強化800V伺服器供電保護 (2026.11.02)
AI資料中心機櫃功率持續攀升，供電架構朝高壓直流發展，電源模組帶電接入時的浪湧控制與故障隔離，也成為系統可靠性的關鍵。英飛凌推出高壓熱插拔控制器XDP8HD40S-1，瞄準±400V及800VDC伺服器架構，整合數位電源路徑保護與監測，擴充…
大聯大詮鼎攜安森美 聚焦機器人精準感測與高效驅動 (2026.10.30)
機器人朝高精度、低功耗與高可靠性發展，關節模組的功率效率、散熱及定位能力成為設計關鍵。大聯大旗下詮鼎集團攜手安森美舉辦線上研討會，聚焦MOSFET與電感式位置感測技術，解析馬達驅動、精密定位及致動器開發重點。 在功率驅動方面，安森美指出，機…
英飛凌27kW三相電源供應器解決方案 助力下一代AI伺服器電源架構 (2026.10.13)
人工智慧運算負載正在重新定義現代資料中心的電力需求。隨著 GPU 性能提升與機櫃功率密度不斷增加，電源架構逐漸朝向 800 VDC 或 ±400 VDC 躍進。為滿足這些新興需求，英飛凌科技新推出 27 kW 三相電源供應器（PSU）參考設…
ROHM的SiC功率元件為BMW次世代電動動力系統做出貢獻 (2026.10.05)
半導體製造商ROHM的功率半導體解決方案已被世界知名高階汽車製造商BMW的電動車平台所採用。在BMW的次世代概念「Neue Klasse」中，ROHM的SiC功率元件將有助提升電動車動力總成系統的效率、性能和可靠性。 車輛中所安裝的高性能S…
英飛凌推雙相智慧功率級產品 為AI加速器與垂直供電樹立全新功率基準 (2026.09.29)
英飛凌科技發佈TDA235E5與TDA235E0雙相智慧功率級產品系列，旨在滿足下一代AI加速器和垂直供電模組快速增長的功率密度需求。隨著超大規模雲端服務商與資料中心運營商不斷擴大AI基礎設施部署規模，市場急需兼顧更大輸電能力與更小物理尺寸…
ROHM的SiC功率元件為BMW電動動力系統做出貢獻 (2026.09.24)
ROHM的功率半導體解決方案已被世界知名高階汽車製造商BMW的電動車平台所採用。在BMW的次世代概念「Neue Klasse」中，ROHM的SiC功率元件將有助提升電動車動力總成系統的效率、性能和可靠性。 車輛中所安裝的高性能SiC功率元件…
意法半導體全新電氣隔離閘極驅動器 以先進隔離技術簡化功率系統設計 (2026.09.24)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM，簡稱 ST）進一步擴充 STGAP3S 閘極驅動器系列。此系列採用強化電氣隔離設計，可提高可靠性；此次新增高效率且具成本效益的 3A 系列，適用於驅動電流…
MOSFET接棒MLCC成電源關鍵 AI機櫃朝600kW推進 (2026.09.23)
AI伺服器功率密度持續提高，供應鏈焦點正從電源架與電源供應器，進一步下沉至MOSFET、保護元件與電源測試設備。台灣功率半導體業者近期觀察到AI伺服器需求增加，加上8吋晶圓產能重新配置，使MOSFET與電源保護元件供給趨緊，部分非合約產品甚…
算力驅動功率元件、先進封裝升級 大廠加速策略轉型 (2026.09.09)
迎接AI算力與Physical AI熱潮，資策會產業情報研究所（MIC）於9/8~9/10舉辦「2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》」研討會，今（9）日聚焦AI應用從雲到端全面擴張的趨勢，正改寫半導體產業競爭格局。…
安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
ROHM開發出業界最高等級Wide-SOA的MOSFET (2026.09.03)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載安全功能和保護電路開發出100V耐壓MOSFET「RS4P063BPHZG」。 近年來，隨著汽車電子化的發展，開始要求車載系統能夠滿足高電壓和高電流的需求。尤其是在安全功能和保護電路中，異常…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM，簡稱 ST）推出 L98GD8E 48V 車用前級驅動器，絕對最大額定值（AMR）達 75V。L98GD8E 是目前唯一同時符合適用於 48V 電氣系統的…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
英飛凌與西門子合作 以碳化矽技術賦能資料中心及工廠電氣保護 (2026.06.11)
英飛凌科技與西門子開展合作，共同提升資料中心、生產設施及電池儲能系統的電氣保護水準，保障運行可靠性。合作內容包括英飛凌將向西門子供應碳化矽（SiC）功率模組，用於西門子的SENTRON 3QD2半導體斷路器。這將提升西門子斷路器保護解決方案…