随着积体电路日益缩小，对污染的忍受度也越来越低，CMP 后清洁作业成为制程中更加关键的步骤。必须进行这道清洁步骤，才能制备后续步骤所需的晶圆，若清洁效果理想，也有助于提高装置的最终产量。所面临的挑战在于，在这道步骤中要移除的污染物相当多，但用于移除的化学品必须具备相当的选择性特性，且不会损害先前已安置妥当的表面材料与结构。从 10 奈米开始，高阶节点中已引进了许多新材料，因此我们必须重新配制原有的 PlanarClean化学品，使其相容于这些新材料 (并不会损害这些材料)。最根本的关键在于，高阶节点的容错空间已越来越小。

这款新PlanarClean AG 是PlanarCleanpCMP 清洁溶液产品系列的「先进世代」配方，也就是说，这不仅是旧款化学品的全新版本，还经过特别设计，可为讲究清除所有污染物的高阶节点，提供新的清洁机制。因此，应将其视为全新的清洁平台。透过调制，不会损坏、蚀刻或移除高阶节点的新材料，例如钴和钨。从前我们无法真侧到晶圆表面上的某些 (极小型) 污染物，但现在已可侦测到，还必须加以清除。

三大功能

PlanarClean AG 相容于所有主要 CMP 平台，具体而言还达到以下三项功能：

*符合高阶节点的高度效能特性

*符合更严格的 EHS 要求

*可在使用点进一步稀释，符合持有成本需求，尽可能减低每一层的化学使用量

采用高阶节点后，材料和薄膜堆叠都有所改变。新型PlanarClean AG 溶液经过特别设计、调制，专门用于10 奈米以下节点，经过主要制造商测试，并已获采纳，作为多数记录制程(POR)这款产品仅会移除特定污染物，但不会损害外露之表面材料、堆叠或结构，经过证实在这方面的安全性非常高，且清洁效果极佳，能使表面非常平滑。从制造、装箱、出货到客户使用点，清洁化学品全程保持完整，因此保护效果也受到保障。

PlanarClean AG 中使用的化学成分展现了全新的清洁机制，可加速溶解污染物，又不会使晶圆表面受损、变粗糙或受蚀刻。经过证实，此化学品比起其他溶液更能维持甚至提高表面的平滑度。在化学品中有效运用腐蚀抑制剂，可在清洁及长时间的等待过程中保护金属免遭腐蚀。长时间的等待不仅意味着制造过程更加弹性灵活，也展现了潜在的节省成本优势，因为清洁过的晶圆可使用更久 (若有需要)，而不用重新加工处理。这款化学品的整体效能有助于清除所有污染物，进而达到装置效能，并且有利提高产量。

原本的 PlanarClean 配方已在 2008 年受到采纳，并且有效用于 28、20 和 16 奈米节点。 PlanarClean 已成为领先业界的 pCMP 清洁剂。 PlanarClean AG 已获得全球主要 IDM 和代工厂认可，并广获采纳为 POR。

我们在研发先进世代配方 (AG) 的过程中，当然随时遵循最新 EH&S 规定，并且能够针对高阶节点开发高效清洁剂，同时排除不必要和禁止使用的化学成分，化解了所有 EHS 规定相关的难题。

（本文作者Cuong Tran为Entegris公司CMP后清洁主管）