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创新FDSOI能带调制器件双接地层Z2FET
 

【作者: H.El Dirani 等人】2018年02月02日 星期五

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今天,全耗尽型绝缘层上矽(FDSOI)CMOS技术因超高开关速度、超低功耗(ULP)和适中的成本而引起业界广泛的关注。在这种情况下,物联网(IoT)和射频用超薄体矽BOX层(UTBB)器件预计达数十亿个。这项先进技术有很多特点。超薄器件将会受益於可调??压值、低泄漏电流和优化的寄生电容、迁移率和亚压值斜率(SS)[1-3]。


现在重点介绍能带调制器件(FED [4-6]、Z2-FET [7-10]和Z3-FET [11, 12]),应用广泛,可用於研制ESD [13-16]防护组件、记忆体[5, 17-19]和快速逻辑器件。[4].叁考文献[8]提出的标准Z2-FET具有快速开关、低泄漏电流和可调触发电压。通过比较发现,无前栅的 Z3-FET [ref]的触发电压 Vt1 更高,同时双接地区域使其能够承受高电压。标准 Z2-FET的升级版因市场对更高的Vt1 电压和超低功耗的需求而产生,采用先进的FDSOI技术,在前栅下面增加一个N型接地区域, 称之为 Z2-FET DGP。
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