在SiC MOSFET问世10周年之际，本文作者回顾科锐公司十年历史所经历的关键时刻，并且认为未来的发展会比过去曾经历的增长还要巨大，因此为下一步即将增长的产业曲线提出卓见。

图一 : 科锐联合创始人兼首席技术官John Palmour 博士

处于像我这样的位置，能够有幸参与到一个改变行业的重要产品的问世，感觉就是一生一遇的机会。所以通过回顾我们公司历史十年前的关键时刻，发现我所能看到的，对于今天Wolfspeed将迈向何方，也会显得特别地有意义。

在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前，普遍的观点是SiC功率电晶体是不可能实现的，因为太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能开发出可用的SiC MOSFET，因为SiC的氧化物绝缘体是不可靠的。我们的友商试图尝试用JFET和BJT等其他器件来绕开这个问题，而我们则始终坚持自己的信仰。因为我们知道MOSFET才是客户最终想要的。我们坚信，我们可以通过采用SiC，开发出市面上最为强大和可靠的半导体。
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