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英飞凌首款针对AI资料中心HVDC架构的24 kW SiC BBU叁考设计问世

英飞凌科技推出新款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 叁考设计。其专为AI资料中心的高压直流母线架构而设计,是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案,采用了 650 V 和 1200 V 碳化矽(SiC)技术,在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下,实现了 450 W/in3 的功率密度以及超过 99% 的效率,有效解决了资料中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。



图一 :   英飞凌推出针对AI资料中心HVDC架构的 24 kW SiC BBU叁考设计
图一 : 英飞凌推出针对AI资料中心HVDC架构的 24 kW SiC BBU叁考设计

该叁考设计基於多电平、多相非隔离架构,结合了堆叠、交错和耦合的升压(Boost)与降压(Buck)级。这种方法无需依赖飞跨电容,便能直接减小磁性元件的体积。放电回路的一个桥臂被覆用於充电,从而在整个运行范围内实现零电压开关(ZVS)。该方案最终降低了电流纹波,实现了完全整合的磁性元件以及快速的瞬态回应随着 AI 伺服器的负载波动变得更加动态且难以预测,这些特性正变得越来越关键。


该紧凑型模组的尺寸仅为 112 x 88 x 118 mm,整合了 24 kW 的主功率级和 2.4 kW 的辅助电源。充电器和放电器模组共用 EMI 滤波器、电容和保护 MOSFET,从而减少了总元件数量。业界领先的 SiC 结型闸极效应电晶体(JFET)提供了ORing和热??拔功能。透过将平面变压器与 CoolSET? 相结合,在紧凑且具成本效率的设计空间内实现辅助开关电源(SMPS)。
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