据了解，在全球的功率需求中，近50%用于马达驱动，随着生活家电在新兴国家的普及，马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。一般来说，包括空调和冰箱在内，生活家电多使用变频电路进行马达驱动，而变频电路的开关元件通常会使用IGBT。

图一 : (图左)应用装置优势比较／(图右)节能空调轻载时INVERTER功率损耗比较

然而，近年来在节能性能需求高涨的大趋势下，可有效降低装置稳定运行时功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。在这种背景下，ROHM于2012年成为第一家开始量产以最快反向恢复特性为特点的功率MOSFET PrestoMOS，且由于该系列产品可大大降低应用的功耗，因此受到市场的高度好评。

ROHM推出600V耐压超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列产品，在保持最快反向恢复时间的同时， 提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等生活家电及工控装置（充电桩等）的马达驱动以及EV充电桩。

图二 : ROHM 600V超接合面MOSFET PrestoMOS全新R60xxJNx系列

此次研发的新系列产品与传统产品同样利用了ROHM独有的LifeTime控制技术，实现了最快的反向恢复时间（trr）。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了 58%左右。

另外，透过提高导通MOSFET所需要的电压基准，可以避免发生造成损耗增加原因之一的误开启（Self Turn-on）现象。不仅如此，还透过最佳化内建二极体的 特性，改善了超接合面MOSFET特有的软恢复指数，可减少引发误动作的杂讯干扰。透过减少这些阻碍使用者实行最佳化电路时的障碍，以提高设计灵活度。

什么是PrestoMOS

图三 : 高速trr规格600V SJ-MOSFET的性能比较

Presto表示「极快」，是源自于义大利语的音乐术语。通常MOSFET具有快速开关以及在低电流范围的低导通损耗的优势。例如，用于空调的情况下，非常有助于稳定运转时实现低功耗。 PrestoMOS正是在低电流范围实现低功耗、以最快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。

提高设计灵活度的关键

开关速度的高速化与误开启现象、杂讯干扰是相悖的，使用者在电路设计时需要透过调整闸极电阻来进行最佳化。与一般的MOSFET相比，ROHM的 R60xxJNx系列已经采取了针对误开启现象以及杂讯的对策，有助于提高设计灵活度。

1.避免增加损耗的误开启对策

图四 : 本系列产品扩大了用户透过闸极电阻来进行损耗调节的范围。

本系列产品透过最佳化MOSFET结构上存在的寄生电容，将开关时的额外闸极电压降低了20％。另外，使MOSFET导通所需的阈值电压（Vth）增加了约1.5倍，是「不易产生误开启现象的设计」。因此，扩大了用户透过闸极电阻来进行损耗调节的范围。

2.改善恢复特性，减少杂讯干扰

图五 : 恢复波形比较

一般来说，超接合面MOSFET的内建二极体的恢复特性为硬恢复。然而，ROHM的R60xxJNx系列，透过最佳化结构，与传统产品相比，新产品的软恢复指数改善了30％，不仅保持了最快的反向恢复时间（trr），还成功减少了杂讯干扰。因此，用户可更轻易地透过闸极电阻来调节杂讯干扰。

名词解释

[1] trr : 反向恢复时间(Reverse Recovery Time)开关二极体从导通状态到完全关断状态所需的时间。

[2] 误开启现象: 对MOSFET外加急剧的电压时，会产生额外的闸极电压，超过产品特定的阈值而使MOSFET误导通的现象。此时产生的不必要的导通时间会直接导致损耗增加。一般多发于逆变电路等桥式电路，通常需要采取增加外接零件等对策。

图六 : SJ-MOS的恢复波形示意图。

[3]软恢复指数:通常，二极体存在反向恢复时间（trr）短但容易产生杂讯的硬恢 复，和不容易产生杂讯但反向恢复时间（trr）长的软恢复两种复原模式，尤其在超接合面MOSFET内建的二极体，其使用硬恢复的特性较为显著。图中的ta÷tb是用来表示软恢复性能的指数。