账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
为1Mb序列FRAM开发超小型封装
以小型封装和非挥发性低功耗记忆体实现轻薄的穿戴式装置

【作者: 富士通半導體】2015年07月14日 星期二

浏览人次:【15389】


1 Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件,采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP(small-outline package)封装的23%,而厚度也约其五分之一,实现将拥有序列周边介面SPI的1 Mb FRAM变成业界最小尺寸的FRAM元件。 (注1,2)


香港商富士通半导体台湾分公司成功开发及推出的WL-CSP FRAM为适用于穿戴式装置的记忆体元件,除了可让终端应用产品的整体积变小外,更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低,并提供更持久的电池续航力。


穿戴式市场是目前备受瞩目的焦点,并以惊人的速度快速拓展。穿戴式市场涵盖种类繁多,包括眼镜和头戴式显示器等配件、医疗装置如助听器和脉搏计等,以及可记录卡路里消耗量和运算资料的活动记录器。而这些众多装置的共同点,皆为须持续的即时记录资料。


一般的非挥发性记忆体技术,如EEPROM和快闪记忆体只能确保资料完整性最少可写入100万次,而富士通的FRAM技术则可将资料完整性大大提高到保证最少10兆次读/写次数,因此适用于储存即时记录资料。


封装比较

为了更加利用FRAM的上述特性,富士通半导体如今为其MB85RS1MT产品线中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSO封装(如图一)。



图一 : SOP及WL-CSP封装比较
图一 : SOP及WL-CSP封装比较

MB85RS1MT元件已采用业界标准的SOP封装,然而采用WL-CSP封装后,其体积仅3.09 × 2.28 × 0.33 mm大小,而封装面积只有SOP封装的23%;换言之,即能比SOP封装的面积减少77 %(如图二)。此外,其厚度仅0.33 mm,相当于信用卡厚度的一半,而封装体积更比SOP封装小了95% (如图三和图四)。



图二 : 封装面积比较
图二 : 封装面积比较

图三 : 封装厚度比较
图三 : 封装厚度比较

图四 : 封装体积比较
图四 : 封装体积比较

低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性记忆体,FRAM写入资料的速度也比较快,因此可在写入资料时大幅降低功耗(如图五)。基于此原因,为了即时记录而需经常性写入资料的穿戴式装置在采用此FRAM后,可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。



图五 : 写入时功耗量比较
图五 : 写入时功耗量比较

采用WL-CSP封装的MB85RS1MT元件,对穿戴式装置厂商而言则是提供更小、更薄和功能更丰富的产品,并大幅延长电力。


注释

注1:铁电随机存取记忆体(FRAM)─FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存资料的记忆体,即便在没有电源的情况下仍可以保存资料。 FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入资料、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通半导体自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。


注2:序列周边介面(SPI)─SPI是基板上晶片之间的资料传输标准,是一种三线同步的序列介面。


相关文章
车规碳化矽功率模组基板和磊晶
适合工业应用稳固的 SPI/I2C 通讯
嵌入式开发中适用的记忆体选择
碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术
全球大型制造工厂正快速导入5G物联网
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» 瀚??引进智能家居系列产品上市 推进连网增速新趋势
» 亚湾2.0以智慧科技领航国际 加速产业加值升级
» 高通执行长Cristiano Amon於COMPUTEX 2024 分享智慧装置上的生成式AI运算
» 中华电信与富士通合作创新开发全光和无线网路
» 应材及东北微电子联手 为MIT.nano??注200mm晶圆研制能力


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83TDDKNEMSTACUK1
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw