富采与德国ALLOS Semiconductors今日宣布缔结策略合作，双方将携手推动8寸矽基氮化??LED(GaN-on-Si LED)磊晶片量产，旨在加速Micro LED於AR等高整合显示器应用的发展。富采凭藉全球领先的LED磊晶制造技术，结合ALLOS顶尖的矽基氮化??技术，标志着Micro LED产业供应链迈向成熟量产的新里程碑。

本次合作开发的GaN-on-Si LED磊晶片，结合了富采的LED结构技术与ALLOS的缓冲结构专利。该技术产出的8寸磊晶片在亮度与能效上可媲美传统蓝宝石基板产品，且因尺寸扩大至8寸以上，大幅提升单片产出面积与生产效率。此外，其超小像素间距能满足近眼显示的高解析需求，并具备与现有矽晶圆厂(Si Fab)制程的高度相容性。

富采总经理唐修穆博士表示，此合作为Micro LED建立了具竞争力且可扩展的量产路径；ALLOS执行长Burkhard Slischka则强调，双方强强联手将提供业界最隹的LED效率与卓越的晶圆对接良率(wafer-to-wafer yield)。这项技术突破将有效降低Micro LED晶粒的制造门槛，引领产业进入大规模应用阶段。
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