美国国家半导体（NS）为供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术，VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅（SOI）的BiCMOS制程，其中采用的薄膜电阻不仅可以微调，而且精确度高，因此利用VIP50制程制造的产品无论在电源使用效率、噪讯水平及精确度的表现上都比NS的旧型号IC及许多竞争厂商的产品更好。而系统设计工程师也可利用这种制程技术开发性能更高的燃料喷射、传送系统、医疗设备与诊断工具。以12MHz单位增益带宽的放大器产品为例，新的制程比起采用SOT及SC70封装的主要竞争产品可节省多达九成的耗电量。

《图一 NS放大器产品技术营销经理Carlos Sanchez》

NS放大器产品技术营销经理Carlos Sanchez表示，VIP50制程主要是将晶体管装设于绝缘硅（SOI）芯片之上，然后以沟槽相互隔离。这种以沟槽隔离的设计可将寄生电容减至最少，并可以大幅提高放大器的带宽/功率比。这种隔离制程的另一个优点就是即使讯号电压高于供电电压，芯片内的晶体管仍可调节有关的讯号。此外，由于绝缘硅可以防止漏电情况的发生，因此即使在工厂或车用IC等极高温度的环境之下运作，也不会对放大器的性能产生任何不利的影响。

由于增加了高速垂直NPN及PNP晶体管，因此VIP50制程技术的双极及CMOS模拟专用晶体管可以减少噪讯，这对于为调节高精确度模拟讯号提供理想低噪讯环境而言非常重要，并且对于功耗的减低来说也非常重要。由于BiCMOS制程具备了垂直PNP晶体管，因此放大器也可以增加更高的输出级，以便进一步提高放大器的带宽/功率比。

由于VIP50双极晶体管与最低闸极长度为0.5μm的模拟MOS晶体管一起搭配使用，因此不但对于匹配的精确度可大幅提升，并有助于减少中低频噪讯。对于以MOS晶体管作为讯号路径重要组成部分的系统而言，同时具备这两个特色便显得非常重要。增加了MOS模块之后，工程师也可将更多的混合讯号技术及数字技术整合在一起。

另外，VIP50制程采用高稳定度的低温度系数薄膜电阻，而且电阻匹配精确度高于市场上许多高精确度双组装电阻。若采用以VIP50制程技术制造的产品设计电路，便可充分利用微调（trim）功能进一步提高产品性能。

Carlos Sanchez指出，NS继去年发表了六款以VIP50 BiCMOS制程技术制造的放大器产品之后，今年更陆续推出九款采用此制程技术生产的单组装、双组装及四组装运算放大器。而前六款产品相较起来，新产品在准确度、功耗及电压噪声等方面有大幅改善，可符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的要求，并具备小体积特性，适用于各种可携式电子产品。