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大批量制造的装置叠对方法
 

【作者: Jeremy Nabeth等】2016年07月06日 星期三

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制程余裕较小的先进技术节点需要改进微影叠对的管制。基于光学量测目标的研发检测(DI)时的叠对管制在半导体制造中已经颇具规模。在目标设计和量测技术方面的进展,使叠对的精确度和准确度都得到了大幅提升。表示晶片内装置上蚀刻叠对的一种方法就是在最终检测(FI)时,使用扫描电子显微镜(SEM)进行测量。这种方法的劣势在于无法返工和叠对的层覆盖有限,这是由于缺乏透明及经营成本(CoO)较高。


本报告研究了一种混合方法,将不频繁测量的 DI/FI 偏差进行表征,且把其结果用于补偿频繁测量的 DI 叠对结果。这个偏差表征并不是频繁进行,可基于时间,或者由转变点触发。在按元件和按层的基础上,将DI 的光学目标叠对与 FI 的 SEM 的元件上的叠对进行比较,对两者的偏差表征结果进行验证并跟踪,用于补偿 DI APC 控制器。本文介绍 DI/FI 偏差表征结果和变化来源,并介绍对DI调整馈送 APC 系统的影响。本文回顾该方法在大批量制造(HVM)晶圆厂的实施详情,并在文章最后将讨论该研究的未来方向。
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