在半导体制程进入奈米等级之后，我们一方面要求半导体的线径不断缩小，一方面又要不断提升IC上电子的迁移率，以提升芯片的运算能力，但是以目前的制程技术看来，似乎已经慢慢走到极限，而发展SOI（绝缘层上覆硅）制程IC生产用薄膜基板供货商的Soitec，对于可以提升芯片效能与降低耗电率的SOI制程，有把握可以将摩尔定律在奈米时代继续延续下去。

SOI技术其实在许多年前就已经被人提出，而由IBM成功将其商业化，Soitec在SOI制程薄膜基板的市占率超过80％，Soitec资深营销业务副总裁Michael Wolf表示，利用SOI制程，可以让芯片效能提升30％，并降低2～3倍的耗电率，该公司发展的Smart Cut技术甚至已经逐渐成为全球SOI制程的业界标准，目前Soitec生产8吋晶圆的一厂产能年出货量可达到80万片，因应12吋晶圆的发展趋势，明年将进入量产的二厂完全量产后，年产量更可以提升到200万片12吋晶圆。

Michael Wolf进一步强调，利用Soitec的Smat Cut技术，该公司提供适合不同应用的产品，包括：薄膜与超薄膜型SOI产品，支持高速、低电压、低功耗需求产品，如微处理器与无线通信芯片；厚膜型SOI产品，需求高电压、高温环境的光电组件与MEMS/MOEMS组件；SOQ（Silicon On Quartz）晶圆，是细薄的单晶型薄膜，应用在需要高电阻的透明基板。

在现今电子产品，尤其是便携设备要求高效能、低功耗与低待机电压的功能下，SOI制程芯片可以让可携式设备提升20％～40％的效能。SOI制程晶圆的制作过程是在硅芯片上先覆上一层氧化层，再将其倒覆在另一个空白硅晶圆上，然后利用化学蚀刻的方法将原来晶圆上的硅晶与氧化层分离，覆有绝缘氧化层的晶圆就是SOI晶圆了，另外，原来被分离开的硅晶圆还可以继续利用，重复上述步骤，可让用作绝缘层上硅的晶圆有最彻底的利用。

从1992年该公司成立初期到1999年的这段时间，可以说是Soitec的练功期，Michael Wolf说明，由于市场对于高效能的SOI制程技术需求并不迫切，加上技术还未完全成熟，所以这段时间该公司营收的年复合成长率（CAGR）只有30％左右；但从1999年起到2002年，因为该公司一厂产能完全开出，配合市场需求的成长，Soitec的年营收复合成长率高达100％，目前其客户多为具有先进制程与产品的国际IDM大厂，包括AMD、IBM、Motorola、ST、Philips等。

近两年台湾晶圆双雄的表现越来越出色，包括台湾的亚太地区也逐渐成为全球般导体制造中心，所以Soitec相当看好台湾半导体市场在SOI制程上的发展潜力，Michael Wolf认为，尽管目前台湾半导体制造业者采用SOI制程的比重仍低，但在晶圆代工模式底下，国际大厂逐渐将高阶制程的产品订单释出，代工厂只要被客户要求就会导入SOI制程技术，重点是在导入的过程中，生产线并不需变动，只需将热处理设备做部分更动即可，所以对厂商原来生产方式的冲击相当低。

《图一 Soitec资深营销业务副总裁Michael Wolf》