安森美半导体新CCD图像感测器重新定义微光成像性能

新的KAE-02150图像感测器结合行间转移CCD及电子倍增技术，为工业应用在日光及星光下提供微光影像撷取性能

图一

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新类别的电荷耦合元件（CCD）图像感测器技术，为微光成像在工业市场树立了新基准。此新技术结合安森美半导体的行间转移（Interline Transfer；IT）、 CCD画素设计及新开发的电子倍增（Electron Multiplication；EM）输出结构，使图像感测器方案能够为极微光成像提供亚电子（sub-electron）杂讯性能，并维持CCD级图像品质和均匀性。KAE-02150是首款采用新技术的图像感测器，能在日光到星光、高光到背光等差异极大的光照条件下撷取1080p（1920 x 1080）影像，因而大幅拓展单一摄影机成像系统的成像能力。这在极缺乏光照的应用中尤为有利，如监控、防卫/军事、科学及医疗成像、智慧交通系统。

安森美半导体图像传感器业务部??总裁Chris McNiffe表示，KAE-02150图像感测器是我们首款充分利用新的行间转移EMCCD技术的元件，为客户提供最先进的成像方案。CCD元件的优异图像品质及均匀性扩展至极微光条件，使工业市场的客户能在高难度成像条件下获得全新的高阶性能。
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