CTIMES- 聯電40奈米RFSOI平台優化毫米波射頻前端加速5G裝置開發 :40奈米,RFSOI平台,聯電

聯華電子今（3）日宣布，40奈米RFSOI製程平台可供量產毫米波（mmWave）的射頻（RF）前端製程產品，推動5G無線網路的普及，與包括在智慧手機、固定無線接入（FWA）系統和小型基地台等方面的應用。

聯電的40奈米RFSOI製程平台針對射頻開關、低噪音放大器和功率放大器進行優化，能夠處理更寬的毫米波頻段，並且達到在毫米波模組中含括更多射頻元件的需求，以提供客戶將波束形成器、核心和被動元件以及前端元件整合在單一射頻晶片的解決方案。

聯電技術開發部執行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示：「5G的發展取決於毫米波的布建，以提供虛擬和擴增實境（VR/AR）、智慧城市、工業自動化和健康醫療應用所需的速度與能力。聯電隨著40奈米RFSOI平台的推出，擴展射頻技術的組合，協助客戶將其先進的5G裝置推向市場，並在持續成長的毫米波市場掌握商機。目前已有幾家客戶洽談中，為其射頻前端產品制訂客製化的40奈米RFSOI製程，預計2024年開始量產。」
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