新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。這項成果不僅象徵臺灣在新世代記憶體技術的研發領先，也為全球高速運算與低功耗應用開啟新的可能。

圖一 : 黃彥霖助理教授(中)的研究團隊，圖二為透過創新的材料膜層設計大幅提升鎢材料的相穩定性。

記憶體被譽為電腦的「資料倉庫」，負責儲存指令、運算結果及各種運算資訊的重要角色。當前主流的記憶體分為揮發性與非揮發性兩類：前者如DRAM與SRAM，具備高速特性卻斷電即失；後者如Flash，雖能長期保存資料，但讀寫速度受限。多年來，科學界嘗試發展多種新型記憶體技術，包括PCM、STT-MRAM、FeRAM等，但在「超高速切換」與「長期穩定性」之間，始終難以取得兼顧。

臺灣此次研究的關鍵突破，在於創新的材料膜層設計。團隊成功大幅提升鎢（W）材料的相穩定性，即使在高溫先進製程條件下，仍能維持卓越的自旋軌道力矩效應。這項進展首次展示出64 kb SOT-MRAM陣列整合CMOS控制電路，不僅達到1奈秒的超高速切換，並能確保超過10年的長期資料穩定性，同時具備低功耗特質。
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