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英飞凌推出650V半桥式SOI驱动器系列 整合靴带式二极体
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2020年01月17日 星期五

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英飞凌科技股份有限公司扩展旗下EiceDRIVER产品系列,推出采用英飞凌独家SOI(Silicon On Insulator)技术的650V半桥式闸极驱动器。该产品可提供先进的负瞬态电压抗扰性、单片整合实体的靴带式二极体,以及针对MOSFET和IGBT变频应用提供绝隹的闩锁效应防护。

英飞凌新款 650 V EiceDRIVER SOI 半桥式闸极驱动器提供先进的负瞬态电压抗扰性、单片整合实体的靴带式二极体,以及绝隹的闩锁效应防护。2ED218x and 2ED210x 两个系列皆为采用MOSFET与IGBT的逆变器应用所设计。
英飞凌新款 650 V EiceDRIVER SOI 半桥式闸极驱动器提供先进的负瞬态电压抗扰性、单片整合实体的靴带式二极体,以及绝隹的闩锁效应防护。2ED218x and 2ED210x 两个系列皆为采用MOSFET与IGBT的逆变器应用所设计。

这些独特的功能可实现稳定可靠的设计,并且降低BOM成本。高输出电流系列2ED218x专为电磁炉、空调压缩机、交换式电源供应器(SMPS)和不断电系统(UPS)等高频应用所设计。低输出电流的2ED210x系列则是专为家电、电动工具、马达控制及驱动器、风扇和帮浦设计。

2ED218x为2.5A高电流EiceDRIVER系列,而2ED210x为0.7A低电流系列,两款皆提供关机保护功能、独立的逻辑和电源接地的版本。整合式靴带式二极体结合30?导通电阻提供超快速的逆向回复功能。间隔300ns重复脉冲的-100V负瞬态电压(VS)抗扰性可提供优异的稳固性与可靠的运作。此外,包括具有预防跨导逻辑的整合死区时间,以及高低侧电压供应的独立欠压锁定(UVLO),支援安全操作。闸极驱动器系列的传播延迟大约为200ns。

2ED218x和2ED210x在针脚、电气及功能上均与之前版本的IR(S)218x和IR(S)210x装置相容。采用业界标准的DSO-8 (SOIC8)和DSO-14(SOIC-14)封装以及2kV HBM ESD额定值(仅限2ED218x)。2ED218x和2ED210x产品系列皆可接受样品和大量订购。

關鍵字: Infineon 
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