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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年10月07日 星期一

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ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求,具备低缺陷率、高制程稳定性,成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本,促进了碳化矽元件的更广泛应用。

PE208碳化矽磊晶系统
PE208碳化矽磊晶系统

随着全面电气化趋势推动更多功率元件制造商在越来越多高功率应用中(如电动车、绿能与先进资料中心)使用碳化矽 (SiC),对碳化矽的需求和降低成本的期??日益增强,这促使了6寸至8寸碳化矽基板的过渡。同时,碳化矽元件制造商正致力於设计更高功率的元件,这些元件将受益於更优质的碳化矽磊晶技术。

關鍵字: SiC  GaN  宽能隙半导体  化合物半导体  ASM 
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