今日於台北举行的「2025 MicroLED技术论坛」上，加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）的Steven P. Denbaars教授发表了该校在氮化??（GaN）MicroLED领域的多项重大突破，不仅克服了全彩显示的关键瓶颈，更将其应用拓展至AI数据中心的高速光通讯 。

加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）的Steven P. Denbaars教授

攻克红光瓶颈 实现高效能全彩显示

长期以来，高效能的红光MicroLED是全彩显示的技术瓶颈 。UCSB团队采用单一氮化????（InGaN）材料平台，成功开发出创下业界纪录的红光MicroLED元件 。

根据其研究结果，在约627奈米波长下，其外部量子效率（EQE）峰值达到7.5%，电光转换效率（WPE）也达4.8%。在高温80。C环境下，InGaN红光LED的亮度衰减仅10%，远优於传统AlGaInP材料30%的衰退率，展现出卓越的耐用性。

微缩技术突破：迈向1微米超高解析度

在元件微缩方面，UCSB取得了惊人的进展，已成功开发出像素尺寸仅1微米的蓝、绿、红光MicroLED。研究团队更颠覆了传统认知，发现长波长的琥珀色与红色InGaN MicroLED在尺寸缩小时，其外部量子效率（EQE）会呈现反向增长的趋势。

赋能AI时代：Gbps级光通讯潜力

本次发表的最大亮点，是将MicroLED应用於AI数据中心的Gbps级光通讯，以解决内部传输瓶颈。

为此，研究团队开发出多种创新结构以达成高速调变：

半极性（Semipolar）晶面：克服高电流密度下的效率下降问题 。

· 奈米光栅（ITO Grating）：利用「浦赛尔效应」提升放光速率，大幅增加调变频率 。

· 环形调变μLED（AMμLEDs）：透过特殊设计提升光的方向性与萃取效率，利於光纤耦合 。

基於这些创新，UCSB的MicroLED已实现惊人的通讯效能。在与新创公司合作中，频宽达到2GHz，相当於4Gb/s的传输速率。该公司利用此技术开发的AI通讯方案，已能实现超过10公尺的机柜到机柜（Rack to Rack）传输，功耗仅为0.5 pJ/bit，并拥有全球最小的光收发器密度。

而从UCSB的研究成果来看，高效率的全彩显示材料与1微米级的像素制程已是现在进行式，而MicroLED更有可能作为AI时代低功耗、超高速光通讯引擎的一项重要推动技术，高速通讯的未来可能就是一个由微小晶片驱动的全新光电时代。