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ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2024年10月07日 星期一

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ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求,具備低缺陷率、高製程穩定性,成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本,促進了碳化矽元件的更廣泛應用。

PE208碳化矽磊晶系統
PE208碳化矽磊晶系統

隨著全面電氣化趨勢推動更多功率元件製造商在越來越多高功率應用中(如電動車、綠能與先進資料中心)使用碳化矽 (SiC),對碳化矽的需求和降低成本的期望日益增強,這促使了6吋至8吋碳化矽基板的過渡。同時,碳化矽元件製造商正致力於設計更高功率的元件,這些元件將受益於更優質的碳化矽磊晶技術。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  ASM 
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