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FSI发表45奈米制程high-k薄膜蚀刻技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2005年03月04日 星期五

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晶圆表面处理技术供货商FSI International 宣布,该公司的最新high-k薄膜蚀刻技术获得美国专利商标局核发专利权。此一用在45奈米以下高阶半导体制程的最新技术,强化了传统介电质湿式蚀刻技术无法达到的high-k薄膜湿式蚀刻能力。

FSI表示,随着IC业者持续开发45奈米技术节点晶体管,硅酸铪(hafnium silicates)这类的high-k材料将会取代二氧化硅(SiO2)成为闸极介电质;在闸极结构形成后,从接触区移除闸极介电质是产生晶体管一个重要的步骤,但是使用传统用于SiO2的技术移除high-k薄膜既困难且没效率;FSI研发的专利技术可让IC制造厂商透过现有的FSI平台具备快速且高选择性移除high-k材料薄膜的能力。

此一创新的蚀刻技术以稀释氟成分解决方案处理接触面的high-k薄膜,以达到默认的high-k薄膜蚀刻范围﹔FSI并已经在总部的研发实验室中,成功展示了此一高选择性移除硅酸铪的制程。该专利权让FSI目前所拥有的美国IC表面处理IP有效专利权超过90个,而正在申请中的则有28个。

此一制程可建置在FSI的MAGELLAN Immersion Clean System 与 ZETA Spray Processing System表面处理系统上,这项技术的化学配方提供的硅酸铪移除率最高每分钟达80埃,而沈积二氧化四乙基正硅酸盐(tetraethyl orthosilicate;TEOS)对硅酸铪的蚀刻选择性高达16:1。

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