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面对3D堆叠与混合接合挑战 晶圆量测进入超高速时代
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2025年11月20日 星期四

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随着半导体迈向更小制程节点、3D堆叠与先进封装设计,晶圆几何形貌的微小差异,已成为影响良率与性能的关键变因。晶片设计愈复杂,材料叠层愈多,制程整合挑战也随之放大,在混合接合、晶背供电与高堆叠NAND等先进技术导入下,仅有奈米级的翘曲或高度偏差,都可能造成对准偏移(overlay error)、接合空隙或电性不良。也因此,量测技术正逐渐成为半导体竞争的核心差异化要素。

针对此问题,半导体波前相位影像量测厂商 Wooptix 推出 Phemet 系统,提供次奈米解析度与全片晶圆超高速量测能力,为产业带来新的突破。其专有的波前相位影像(Wavefront Phase Imaging, WFPI)技术,可在单张影像中撷取超过1,600万个数据点,量测整片晶圆的形状、翘曲与奈米级形貌变化,并具备抗震与低杂讯特性,能直接导入高产能的光罩线(inline)应用。

目前晶圆代工与封装厂面临的主要挑战包括:

●混合接合门槛大幅提升:HBM与巨量3D堆叠架构使晶片表面平坦度要求严苛,微小形貌误差即可能造成接合缺陷或信号延迟。

●晶背供电(BSPDN)推动晶片翻面制程复杂度提升:晶背加工易导致晶圆弯曲与应力分布不均,需更精细的几何监控。

●3D NAND 与先进逻辑的对准误差风险倍增:过往抽样式量测无法掌握全片资讯,而Phemet 可一次解析整片晶圆,让工程师能快速定位缺陷来源,缩短问题分析时间。

●导入AI分析与全制程可追溯性需求日增:系统提供完整原始数据回溯,利於制程优化模型建立,支援AI导向的良率改善策略。

TechInsights 分析指出,当制程公差逼近极限,量测能力不再只是品质控管工具,而是影响晶圆厂成本结构与供货能力的战略资产。

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