全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，全球领先的笔电适配器制造商群光电能已采用英飞凌CoolGaN G5电晶体，为其核心客户提供多款笔电适配器。该设计方案展示了氮化??（GaN）功率半导体如何加速向更紧凑、更节能的充电解决方案转型，从而使主流运算设备实现更小的尺寸和更好的永续性。

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在新款电源适配器的设计核心，是英飞凌的 CoolGaN G5 氮化??功率电晶体，专为在广泛的工作条件下实现高速开关与低导通损耗而打造。英飞凌的高压（HV）GaN 电晶体采用名为混合汲极 GIT（闸极注入电晶体）的高效能基础设计，提供极高可靠性的高压闸极耐受能力、优异的动态 RDS(on) 与硬开关性能，以及显着提升的饱和电流，从而带来最隹的整体可靠性。在此基础上，英飞凌最新的高压系列 G5 电晶体的标准性能指标（例如 RDS(on) *Qg）较前代产品可提升高达 30% 的性能。

英飞凌氮化??事业线负责人Johannes Schoiswohl表示：「CoolGaN G5 电晶体体现了我们对可靠、高效能功率半导体的承诺。与群光电能在顶尖客户的电源适配器专案上合作，凸显了 GaN 如何在不影响可靠性的前提下，为最终使用者带来切实的效益更小尺寸、更快充电、以及更低能耗。」

群光电能研发??总裁王洋表示：「英飞凌CoolGaN G5电晶体为我们提供了充足的设计馀量，使我们能够在紧凑的尺寸内实现更高的功率密度和效率。此次合作协助我们打造出符合笔电客户对於高端使用者体验期??的充电解决方案。」

基於群光电能的设计能力和英飞凌高压G5 GaN电晶体，该方案的工程亮点包括：运用GaN的快速开关特性，优化PFC和DC/DC级的高频电源架构；充分考虑EMI的设计，透过优化布局、滤波和开关波形，实现低杂讯并满足严格的电磁相容标准；以及能够在紧凑型机械外壳中实现更低温度下的运行，并能够保持在100-300W持续输出功率的热管理优化方案。

英飞凌拥有强大的产品组合，过去一年已发布逾40款GaN新产品，是对於寻求优质GaN解决方案的客户来说首选的合作夥伴。公司正按计划推进GaN 300 mm晶圆规模化制造，首批样品已交付客户。300 mm GaN工艺可显着提升高品质GaN产品的产能和交付速度，进一步巩固英飞凌在GaN市场的领导地位。