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英特尔续攻先进封装 发表Co-EMIB和ODI技术
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2019年07月11日 星期四

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半导体技术市场的风向球,正迅速从制程微缩转向封装技术,要实现创新应用,并同时达成低高耗与高效能,唯有从3D的封装结构着手,也因此英特尔正积极布局其先进封装技术。

在本周的旧金山SEMICON West,英特尔再度发表两个先进封装的技术进展,并推出了新的区块架构,包括整合了EMIB和Foveros的Co-EMIB技术,以及全新的全定向互连(Omni-Directional Interconnect; ODI)技术。

英特尔先前所发布的EMIB和Foveros技术,是利用高密度互连技术来实现低功耗与高频宽,其I/O的密度也能与其他竞争技术相当或者更好。其新发表的Co-EMIB技术则可实现更多运算性能和功能的整合。Co-EMIB允许两个或更多个Foveros元件的互连,并具备单晶片的性能。设计人员也能以非常高的频宽和极低的功耗连接类比,记忆体和其他区块元件。

ODI则为封装中的小晶片(chiplet)之间的通信提供了更好的灵活性。顶端的晶片可以与其他小晶片水平互连,类似於EMIB。但它还可以运用TSV技术与底层的晶片垂直通信,类似於Foveros。

ODI利用大型垂直的导通孔,直接从封装基板向顶部晶片供电。大型的导通孔比传统TSV大得多,具有更低的电阻,而透过堆叠实现更高频宽和更低延迟,提供更强大的电力传输。同时,这种方法减少了底部晶面所需的TSV数量,减少了主动电晶体的面积,并优化了晶片的尺寸。

關鍵字: 3dIC  Intel 
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