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ST与Soitec合作开发新一代CMOS影像感测技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年05月14日 星期四

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意法半导体与工程基板供货商Soitec,宣布双方共同签署一项独家合作协议。根据此协议,两家公司将合作开发300微米晶圆级背光(BSI,Backside-illumination)技术,为消费性电子产品打造新一代影像传感器。

随着先进影像感测技术分辨率的不断提升,以及市场对缩减相机模块整体尺寸的迫切需求,尤其是消费性电子市场,厂商急需开发单位画素尺寸更小,同时还能保持画素灵敏度及高画质的影像技术。而背光技术将是新一代影像传感器开发过程中的关键要素。

两家公司此次签署的合作内容包括:Soitec授权意法半导体在300微米晶圆上,使用Smart Stacking接合技术制造背光传感器。该技术由Soitec公司的Tracit事业部门,运用分子接合技术和机械与化学薄化技术开发而成。意法半导体将运用此技术及本身的先进65奈米以下衍生性CMOS制程技术,开发新一代影像传感器,并在位于法国南部Crolles的300微米晶圆制造厂生产。结合意法半导体先进的晶圆制造能力,Smart Stacking技术将有助于意法半导体加强在高性能行动消费性电子影像传感器开发与供应的市场领导地位。

關鍵字: CMOS  影像感測技術  ST  Soitec 
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