根据报导指出，中国在极紫外光（EUV）光刻机领域已完成原型机阶段的进展。此一成果被视为中国推动高阶半导体设备自主化的重要里程碑，也是外界所称「中国曼哈顿计画」的关键环节之一，显示中国正积极尝试突破先进制程设备长期依赖海外供应的结构性限制。

中国在EUV光刻机领域已完成原型机

EUV 光刻机被视为 7 奈米以下先进制程不可或缺的核心设备，长期由少数国际厂商掌握关键技术与供应能力。近年在地缘政治与出囗管制因素影响下，中国难以取得最先进的光刻设备，使其半导体产业在高阶制程发展上面临明显瓶颈。此次原型机进展，显示中国已在光源系统、光学模组与整机整合方面取得初步成果，对於提升本土技术能量具有指标性意义。

不过，相关消息也指出，该 EUV 原型机距离量产与实际商用仍存在不小挑战。包括曝光精度、系统稳定度、关键零组件良率，以及长时间运转可靠性，仍有待进一步验证与优化。此外，EUV 设备涉及高度复杂的跨领域技术整合，从高能量光源、精密反射镜，到真空与控制系统，任何一项环节不足，都可能影响整体效能。

分析认为，中国此举短期内尚难动摇全球先进制程设备的既有格局，但其战略意义大於即时产业效益。透过持续投入资金、政策资源与研发能量，中国希??逐步建立自主可控的半导体设备体系，降低外部供应不确定性对产业发展的冲击。