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安森美半导体将於欧洲PCIM 2019推出新款IGBT产品
基於SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 报导】   2019年04月30日 星期二

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安森美半导体(ON Semiconductor)将於5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基於碳化矽(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。

安森美半导体基於SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出..
安森美半导体基於SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出..

AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC萧特基二极体(Schottky Diode)技术,提供低导通损耗和开关损耗,用於多方面的电源应用,包括那些将得益於更低反向恢复损耗的应用,如基於图腾柱的无桥功率因数校正(Power factor correction;PFC)和逆变器。

该器件将矽基IGBT与SiC萧特基势垒二极体共同封装,从而在矽基方案的较低性能和完全基於SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V,能够处理高达100 A@25 刟C(50 A@100 刟C)的连续电流,以及高达200 A的脉冲电流。对於需要更大电流能力的系统,正温度系数令并行工作更简便。

现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶,在某些情况下还能储存能量,以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器,必须有高的开关效率,以确保转换时不浪费能量。在这种情况下,整合外部SiC二极体的IGBT比MOSFET方案提供更高能效,因为没有相关的正向或反向恢复损耗。

AFGHL50T65SQDC可在高达175 刟C的结温下工作,适用於包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合AEC-Q 101认证,进一步证明其适用於电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) 车载充电机。

除了新的混合IGBT,安森美半导体还将在PCIM推出并展示一系列新的隔离型大电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电源应用,包括太阳能逆变器、电机驱动、不断电供应系统(UPS)和汽车应用如动力总成和PTC加热器。

NCD(V)57000系列是大电流单通道IGBT驱动器,内置电器安全隔离设计(galvanic safety isolation designed),以在要求高可靠性的电源应用中提供高能效工作。该器件具有输入互补、漏极开路故障和输出准备就绪、主动米勒钳制(Active Miller Clamp)、精确欠压锁定(UVLO)、软关断去饱和(DESAT)保护、负门极电压接脚和单独的高、低驱动输出等特点,为系统设计提供灵活性。

该器件的电器隔离额定值大於5 kVrms,满足UL 1577的要求,工作电压高於1200 V,保证8 mm爬电距离(输入>输出)以满足强化的安全隔离要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驱动电流和7.1 A汲电流能力,是某些竞争器件的三倍多。更重要的是,它们还具有在米勒平坦区工作时更大的电流能力,同时结合其先进的保护特性,使它们成为同类最隹的IGBT驱动器。

展会讯息

展会名称:欧洲PCIM 2019 (德国纽伦堡)

展览日期: 5月7日至9日,

展览位置 : 9号馆330号

展览重点:展示针对强固电源应用的混合IGBT和广泛的IGBT驱动器,提供同类中最隹的电流性能和保护特性。

關鍵字: IGBT  门极驱动器  安森美半导体 
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