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英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2018年07月24日 星期二

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德国半导体元件商英飞凌(Infineon)今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品,透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术,提供高性能、高可靠度、高功率密度,且具成本效益的电源解决方案。该系列将以太阳能、电动车充电系统与工业级电源供应为主要的应用领域。

英飞凌(Infineon)今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品

碳化矽(SiC)制程是近年在电源功率元件领域的热门技术,因其能具备极隹的耐高压与耐高温的性能,因此十份适合用於需要高电压的工业应用上。然而,SiC的生产成本高,良率低,且耐用性经常受到挑战,仅有少数的供应商有能力生产。

英飞凌工业电源控制事业处大中华区总监马国伟博士表示,英飞凌自1992年便开始进行SiC材料研究,而CoolSiC MOSFET就是累积了大量经验和技术的成果。与传统矽(Si)材料 IGBT和MOSFET的开关元件相比,CoolSiC MOSFET提供了在1200V的开关中具有较低的闸极电荷与电容、反向并联二极体无反向恢复损耗、较低切换损耗等。

此外,马国伟指出,英飞凌1200V SiC MOSFET透过其独特的沟槽式构造设计,实现更隹的闸极氧化层可靠度,也呈现最隹的开关与传导损耗、最高的转导增益、最隹的临界导通电压和输出短路的坚固性。非常适用於LLC和ZVS等电源切换架构技术,且能达到Si开关元件无法达到的开关频率下所提供的最高效率,进而减小整体系统的体积,并提高功率密度。

马国伟表示,为了研发和生产SiC产品,英飞凌投入了3500万欧元的资金来建设生产设备和流程,目前已升级至6寸的生产制程,同时也与Cree签属了碳化矽晶圆的供应合约,来强化产品的品质与产能的稳定性。

马国伟博士强调,英飞凌的SiC MOSFET产品能同时兼具高可靠性与高性能表现,且其可靠度已经达到能媲美Si IGBT的水准。而英飞凌也将持续改善其材料与制程的成本与良率,以带给客户更具效益的产品。

目前,该系列产品已经被用在电动车的充电系统、太阳能逆变器和能源储存应用中。

關鍵字: SiC  MOSFET  Infineon 
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