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WD:5G与AI应用带动3D NAND快速发展
 

Rapport \u3011    2017年12月05日 星期二

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数据的数量、速度?种类与价值,持续在大数据 (Big Data)、快数据 (Fast Data) 与个人数据之中倍数成长并持续演化,而全球各地为数众多的消费者,都将透过智慧型手机体验这一波数据汇流风潮。面对这样的需求,Western Digital也推出iNAND嵌入式快闪记忆体 (EFD) 产品系列,让智慧型手机使用者能够享受现今由数据驱动的各种应用与体验。

WD嵌入式与整合解决方案行动和运算产品线市场管理总监包继红
WD嵌入式与整合解决方案行动和运算产品线市场管理总监包继红

新推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式快闪记忆体,采用Western Digital 64层3D NAND技术以及UFS与e.MMC介面技术,提供数据效能与储存容量。用於智慧型手机与轻薄运算装置时,这两款产品能加速实现以数据为中心的各式应用需求,包括扩增实境 (AR)、高解析视讯的撷取、丰富的社群媒体体验,以及近期崛起的人工智慧 (AI) 与物联网 (IoT) 「边际」(edge) 体验。

WD嵌入式与整合解决方案行动和运算产品线市场管理总监包继红指出,除了360度影片及多镜头相机,行动应用程式也开始采用人工智慧技术提供更隹的体验,推动智慧型手机数据为中心的本质至全新境界。WD的iNAND解决方案,为现今密集的行动应用程式及体验,打造出最合适的数据环境,并支援其蓬勃发展。结合Western Digital的X3 3D NAND技术,以及具备应用感知(application-aware)的SmartSLC技术的全面提升,得以提供用户更智能化的iNAND装置。

iNAND 8521为旗舰行动装置设计 展现5G网路效能

iNAND 8521嵌入式快闪记忆体专为对数据应用有强度需求的使用者设计,采用UFS 2.1介面以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技术,与前一代针对旗舰智慧型手机所推出的iNAND 7232嵌入式快闪记忆体相比,连续写入速度最高为其两倍,随机写入速度最高可达10倍。iNAND 8521嵌入式快闪记忆体的数据传输速度,让行动用户能够利用最新Wi-Fi速度,并在电信服务供应商提供5G网路时可以使用网路增强技术。

iNAND 7550专为主流智慧型手机所设计

iNAND 7550嵌入式快闪记忆体让行动装置制造商生产符合成本效益的智慧型手机与运算装置,提供充足的储存空间,满足消费者持续增加的数据需求,并同时提供快速的应用程式体验。其采用e.MMC 5.1规格,连续写入效能最高260 MB/s,随机读写效能则分别为20K IOPS和15K IOPS3,让iNAND 7550得以增强开机与应用程式开启时间。

關鍵字: iNAND  Flash  WD 
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