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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年06月05日 星期三

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比利时微电子研究中心(imec)与艾司摩尔(ASML)共同宣布,双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)微影实验室正式启用,为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径(high-NA)极紫外光(EUV)曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具。

High NA实验室内的TWINSCAN EXE:5000高数值孔径极紫外光曝光机首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米导线图形。
High NA实验室内的TWINSCAN EXE:5000高数值孔径极紫外光曝光机首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米导线图形。

这座由ASML与imec共同成立的High-NA EUV实验室宣布正式启用,象徵着高数值孔径极紫外光制程预备投入量产的里程碑预计将於2025~2026年实现。imec与ASML把high-NA EUV原型机与相关工具(包含光阻涂布与显影机、量测工具、晶圆与光罩处理系统)开放给尖端的逻辑和记忆体晶片制造商使用,藉此协助他们在晶圆厂启用high-NA EUV曝光机之前,先降低该技术的开发风险,并开发自有的应用案例。这些资源也会开放给材料商及设备商的广泛生态系统,以及imec的高数值孔径图形化研究计画。

为了让0.55数值孔径的EUV曝光机及基础设施顺利启用,随之而来的准备工作早在2018年展开积极部署。这段期间,ASML与蔡司(ZEISS)成功开发了high-NA EUV曝光机的专用解决方案,包含曝光源、光学元件、镜头变形、光罩场域拼接、缩短焦点深度、边界放置误差及叠对准确性。同时,imec与其广泛的供应网络紧密合作来筹备图形化生态系统,包含开发了先进的光阻剂与涂料底层材料、光罩、量测及检测技术、(变形)成像技术、光学邻近修正(OPC)、整合光罩图样及蚀刻技术。

最近,这项筹备工作完成了首次曝光显影,第一次成功在荷兰费尔德霍温利用0.55数值孔径EUV曝光机原型,在金属氧化物光阻剂(MOR)上形成排列密集(间距为20奈米)的10奈米导线图形。

imec执行长Luc Van den hov表示:「高数值孔径极紫外光技术是光学显影技术的下一个里程碑,可??一次曝光就能完成间距为20奈米的金属导线或间隔图样,并有助於打造出新世代的动态随机存取记忆体(DRAM)。相较於目前采用多重图形化的0.33数值孔径EUV制程,这将能改良产量,并缩短生产周期,甚至是二氧化碳排放量。因此,这项最新的显影技术会是推动摩尔定律迈向埃米(angstrom)世代的关键推手。运用这台high-NA EUV曝光机原型,我们迫不及待想要在现实生活中探索这些性能。对imec及我们的夥伴来说,这座High NA EUV显影实验室将成为我们比利时鲁汶12寸晶圆无尘室的虚拟延伸,让我们进一步改良图形化生态系统,并提升高数值孔径极紫外光技术的解析度极限。」

ASML执行长Christophe Fouquet表示:「由ASML与imec共同建立的High NA EUV微影实验室提供我们极紫外光设备的客户、夥伴及供应商使用高数值孔径极紫外光系统的机会,让他们在等待自家系统於厂房启用时可以先行开发制程。这种尽早投入生态系统的作法独一无二,还可能大幅加速这项技术的学习进度,并协助将其顺利导入制造阶段。在这段过程中,我们致力以高数值孔径极紫外光技术与客户建立合作并提供协助。」

關鍵字: imec 
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