Fairchild宣佈其650 V 場截止溝槽式 IGBT應用於古瑞瓦特新能源公司最新一代太陽能逆變器中，該公司是家用與商用太陽能應用逆變器製造商。由於使用Fairchild的 IGBT，古瑞瓦特將其新型5K-HF太陽能逆變器的功率密度，與之前型號相比提升了20%。

新一代太陽能逆變器採用Fairchild的4L封裝650 V場截止溝槽式IGBT

古瑞瓦特副總裁兼研發總監吳良材表示︰「我們的新一代太陽能逆變器率先採用Fairchild的TO247 4L封裝 IGBT，運用 IGBT晶圓及4L封裝製程新技術，我們能夠透過大幅提高驅動訊號的開關頻率充分利用IGBT的特性，從而獲得安全工作區，同時不會顯著增加半導體的功耗。此外，我們還可以使用較小的磁性元件，從而顯著減小系統尺寸並提高性價比。」

Fairchild 高功率工業應用事業部副總裁 Jin Zhao 表示︰「有像古瑞瓦特在其超高效率的下一代太陽能逆變器中採用我們的 650V場截止溝槽式IGBT，彰顯了我們的IGBT特性及功能， 這些IGBT採用Fairchild的創新型場截止技術，為要求較低傳導及開關損耗的太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信設備、ESS及PFC應用提供最優化效能。」

古瑞瓦特執行總裁（CEO）丁永強表示︰「提高逆變器的效率及功率密度是古瑞瓦特研發人員長久以來的目標。半導體技術的進步顯著減少了我們的逆變器所需的金屬部件的比例，這會導致多種好處，包括較小的產品尺寸、較小的重量、更低的成本，及更輕鬆的傳輸與存儲。我們會在此次成功的基礎上更進一步，並繼續在我們的太陽能逆變器開發中採用先進技術，從而為客戶提供更多價值以及更佳的效率及功率密度， 我們採用更高的開關頻率拓撲開發了新的5K-HF逆變器，這是一個更優的佈局及新的磁性材料，提供高效率，功率密度共提高 20% 以上。」Fairchild的650V場截止溝槽式 IGBT採用全新IGBT技術及創新型封裝，因而能夠實現這個目標。（編輯部陳復霞整理）