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中微發佈第一代電感耦合等離子體蝕刻設備 提升7和5奈米產能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年03月13日 星期二

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中微半導體設備有限公司在本周舉辦的SEMICON China期間正式發佈了第一代電感耦合等離子體蝕刻設備Primo nanova,用於大批量生產儲存晶片和邏輯晶片的前道工序。該設備採用了中微專利的電感耦合等離子體蝕刻技術,將為7奈米、5奈米及更先進的半導體元件蝕刻應用提更好的製程加工能力,和更低的生產成本。

Primo nanova的創新的設計包括:完全對稱的反應腔,超高的分子泵抽速;獨特的低電容耦合線圈設計和多區細分溫控靜電吸盤(ESC)。

中微表示,其Primo nanova蝕刻機已獲得多家客戶訂單,設備產品已陸續出貨,且首台Primo nanova設備已在客戶生產線上正常運行,良率穩定。目前公司正在與更多客戶合作,進行蝕刻評估。

中微副總裁兼等離子體蝕刻產品部總經理倪圖強博士說道,「該設備不僅能夠用於多種導體蝕刻製程,比如淺溝槽隔離蝕刻(STI)、多晶矽柵極蝕刻;同時可用於介質蝕刻,如間隙壁蝕刻(Spacer Etch)、掩模蝕刻(Mask Etch)、回蝕刻(Etch Back)等, 具有業界領先的生產率和卓越的晶圓內加工性能。這項基於電感耦合等離子體的蝕刻技術既可以用於蝕刻垂直深孔,也可以用於蝕刻淺錐形輪廓。」

關鍵字: 中微 
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