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Fairchild協助古瑞瓦特的太陽能逆變器實現高功效
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 報導】   2016年01月07日 星期四

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Fairchild宣佈其650 V 場截止溝槽式 IGBT應用於古瑞瓦特新能源公司最新一代太陽能逆變器中,該公司是家用與商用太陽能應用逆變器製造商。由於使用Fairchild的 IGBT,古瑞瓦特將其新型5K-HF太陽能逆變器的功率密度,與之前型號相比提升了20%。

新一代太陽能逆變器採用Fairchild的4L封裝650 V場截止溝槽式IGBT
新一代太陽能逆變器採用Fairchild的4L封裝650 V場截止溝槽式IGBT

古瑞瓦特副總裁兼研發總監吳良材表示︰「我們的新一代太陽能逆變器率先採用Fairchild的TO247 4L封裝 IGBT,運用 IGBT晶圓及4L封裝製程新技術,我們能夠透過大幅提高驅動訊號的開關頻率充分利用IGBT的特性,從而獲得安全工作區,同時不會顯著增加半導體的功耗。此外,我們還可以使用較小的磁性元件,從而顯著減小系統尺寸並提高性價比。」

Fairchild 高功率工業應用事業部副總裁 Jin Zhao 表示︰「有像古瑞瓦特在其超高效率的下一代太陽能逆變器中採用我們的 650V場截止溝槽式IGBT,彰顯了我們的IGBT特性及功能, 這些IGBT採用Fairchild的創新型場截止技術,為要求較低傳導及開關損耗的太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信設備、ESS及PFC應用提供最優化效能。」

古瑞瓦特執行總裁(CEO)丁永強表示︰「提高逆變器的效率及功率密度是古瑞瓦特研發人員長久以來的目標。半導體技術的進步顯著減少了我們的逆變器所需的金屬部件的比例,這會導致多種好處,包括較小的產品尺寸、較小的重量、更低的成本,及更輕鬆的傳輸與存儲。我們會在此次成功的基礎上更進一步,並繼續在我們的太陽能逆變器開發中採用先進技術,從而為客戶提供更多價值以及更佳的效率及功率密度, 我們採用更高的開關頻率拓撲開發了新的5K-HF逆變器,這是一個更優的佈局及新的磁性材料,提供高效率,功率密度共提高 20% 以上。」Fairchild的650V場截止溝槽式 IGBT採用全新IGBT技術及創新型封裝,因而能夠實現這個目標。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: IGBT  太陽能逆變器  溝槽式  4L封裝  650 V  Fairchild(快捷半導體古瑞瓦特 
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