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英飛凌氮化鎵 (GaN) 解決方案進入量產
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年11月16日 星期五

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英飛凌科技今日宣布,其氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和 氮化鎵驅動IC EiceDRIVER,將在2018年德國慕尼黑電子展現身。

英飛凌氮化鎵 (GaN) 解決方案進入量產
英飛凌氮化鎵 (GaN) 解決方案進入量產

英飛凌表示,其產品具備更高功率密度,可實現更加小巧、輕盈的設計,從而降低系統總成本和營運成本,減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出,英飛凌是目前市場上唯一一家提供涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產品供應商。

CoolGaN 600 V增強型HEMT:

新款 CoolGaN 600 V 增強型 HEMT 採用可靠的常閉概念,已優化實現快速開通和關斷。它們可在開關式電源(SMPS)中實現高能源效率和高功率密度,其優值係數(FOM)在目前市面上所有 600 V 元件中首屈一指。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,進而大幅提高工作頻率,從而透過縮小被動元件的總體尺寸,提高功率密度。 英飛凌 CoolGaN 600 V 增強型HEMT在功率因數校正器(PFC)裡具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%)。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在諧振拓撲中,CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。

CoolGaN 擁有業界領先的可靠性。品管過程不僅對元件本身,還針對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至超越最高品質標準。

CoolGaN 600 V增強型HEMT提供70 m和190 m的SMD封裝,確保優異的散熱性能和低寄生效應。透過推出全系列SMD封裝產品,英飛凌支援高頻運行的應用,如企業級超大規模資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。

關鍵字: GaN  德國慕尼黑電子展  Infineon(英飛凌
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