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記憶體規格明年更分歧
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   1999年11月15日 星期一

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英特爾力挺RAMBUS DRAM(簡稱RDRAM)為下一代主流記憶體,但仍有不少全球資訊大廠看好目前的支援PC100、PC133的同步動態隨機存取記憶體(SDRAM),及發展中的雙倍速傳輸記憶體(DDR SDRAM),明年的記憶體規格將更為分歧。

一位英特爾幹部說,RDRAM與SDRAM之爭,就像當年EDO RAM與SDRAM之爭,當時SDRAM較貴,在廠商大量生產後,單價反而比EDO RAM便宜。目前RDRAM比SDRAM貴,未來需求一旦增加,售價自然下降,就可完成世代交替。在SDRAM、RDRAM外,還有日本恩益禧(NEC)全力推廣的VCM(Virtual Channel Memory)SDRAM及南韓三星集團力推的DDR(Double Data Rate)SDRAM;VCM SDRAM及DDR SDRAM整體表現不遜於RDRAM,但由於英特爾實力雄厚,VCM SDRAM與DDRSDRAM聲勢及市場占有率十分有限。

關鍵字: RDRAM  SDRAM  DDR  VCM  英特爾(IntelNEC  三星集團  動態隨機存取記憶體  記憶體模組 
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