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三星推出第三代HBM2E記憶體 使用8層10奈米堆疊
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2020年02月05日 星期三

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三星電子日前宣布,推出名為「Flashbolt」的第三代高頻寬記憶體2E(HBM2E)。第三代的產品容量高達16 GB,適合最高性能需求的HPC系統,例如以AI為核心的數據分析與先進的圖形系統。

第三代的產品容量高達16 GB,適合最高性能需求的HPC系統
第三代的產品容量高達16 GB,適合最高性能需求的HPC系統

Flashbolt比前一代8GB HBM2「Aquabolt」容量高兩倍,還可以顯著提高性能和電源效率,從而顯著改善下一代計算系統。透過在緩衝晶片頂部垂直堆疊八層10nm級(1y)16 GB DRAM裸晶,實現了16GB的容量。

新的HBM2E封裝以多達4萬個TSV微凸點的精確排列進行互連,而每個16GB裸晶均包含5,600多個細微的小孔。

三星的Flashbolt提供了每秒3.2 Gbps的數據傳輸速度,同時每個堆棧提供410GB / s的頻寬。三星的HBM2E還可以達到4.2Gbps的傳輸速度,是目前最高的測試數據速率。

三星預計將在今年上半年開始量產。該公司將繼續提供其第二代Aquabolt產品陣容,同時擴展其第三代Flashbolt產品。

關鍵字: 記憶體  三星(Samsung
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