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Ramtron將於AES 2008上 展示F-RAM技術
 

【CTIMES/SmartAuto 楊純盈 報導】   2008年05月12日 星期一

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Ramtron International Corporation將參加今年在中國上海舉行的中國國際汽車電子產品與技術展覽會暨國際汽車電子行業高層論壇(AES)。Ramtron將於會上展示其非揮發性F-RAM記憶體產品如何推動引擎蓋下和車艙內的新一代汽車應用創新,如資訊娛樂、安全及事件資料記錄。AES將於2008年5月19至21日在中國上海國際會展中心舉行。

F-RAM技術適合範圍廣泛的智慧及高電子含量的汽車應用,包括資料密集型導航系統、功能豐富的音訊系統,以及高級汽車安全系統的快速資料記錄,如事件資料記錄儀(EDR)。Ramtron的Grade 1(+125℃)與Grade 3(+85℃)AEC Q100認證計畫,以及對零缺陷的不斷追求,使其F-RAM獲得多個應用領域主要汽車供應商的廣泛接納。

Ramtron策略市場拓展經理Duncan Bennett表示:「Ramtron的F-RAM符合嚴格的要求,可用於現今先進汽車的嚴苛引擎蓋下溫度環境。Ramtron的F-RAM具有快速寫入特性、高耐用性和低功耗。」

Bennett更進一步表示:「我們的汽車F-RAM記憶體產品獲得世界各地的主要汽車供應商採用,用於智慧氣囊、穩定性控制、停車協助、動力傳送、主動轉向、駕駛室儀錶及音訊娛樂應用中。AES是一個出色的平臺,讓Ramtron可藉此展示F-RAM技術如何可協助本地的汽車工業,推動其自有汽車設計的創新。」

Bennett在5月20日將會在大會的汽車電子專題技術研討會上,發表題為「事件資料記錄儀:未來的強制性要求」的演講。EDR與飛機的黑匣子類似,其功能是記錄事故的關鍵資料,如速度、加速度、油門位置、刹車狀態、座位安全帶狀態、安全氣囊狀態、ABS狀態及穩定性控制,以協助確定事故發生的原因。美國政府機構已採用EDR支援其汽車事故調查程序,從而協助汽車製造商及道路工程師設計安全性能更高的汽車和公路。F-RAM寫入速度快,具有高耐用性高和低功耗,是EDR的理想記憶體。F-RAM的寫入速度比EEPROM快1000倍,使用次數比EEPROM多出10億次,而其功耗只是EEPROM的一小部分。F-RAM以超過EDR使用壽命的時間間隔存儲資料,確保撞擊事故中電源中斷情況下資料的完整性。

關鍵字: AES  國際汽車電子產品  F-RAM  EDR  Ramtron  Duncan Bennett 
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