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英飛凌在台發表氮化鎵功率元件新品 搶佔GaN市場龍頭
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2018年12月04日 星期二

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英飛凌(Infineon)今日在台北舉行氮化鎵(GaN)方案CoolGaN新品發表會,宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案,以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品,能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度,同時也能縮小裝置的體積,並進一步降低整體的設計成本。

英飛凌(Infineon)在台北舉行CoolGaN新品發表會

台灣英飛凌科技副總裁暨總經理詹啟祥表示,英飛凌長期位居離散電源元件(Discrete Power MOSFETs)市場的龍頭地位,且市佔率遠遠領先排名第二的業者,所憑藉的就是在品質與技術上的堅持。而今日所推出的CoolGaN新品,也將是英飛凌在電源市場上的一大重要策略,將投入與矽(Si)和碳化矽(SiC)產品相同的力量,追求市場的領先地位。

詹啟祥並強調,CoolGaN產品系列推出後,英飛凌將是市場上唯一一家能夠同時提供Si、SiC和GaN全系列功率產品的半導體業者。

今日發表的新款CoolGaN 600 V增強型HEMT系列,採用與傳統矽產品相同的「常閉」設計,不僅讓工程師更容易導入,同時也實現了快速開通和關斷,可在開關式電源(SMPS)中達成高能源效率和高功率密度。此外,其優值係數(FOM)也高於目前市場上其他的600 V元件。

英飛凌科技奧地利資深產品行銷經理鄧巍博士表示,英飛凌的CoolGaN系列採用獨家的常閉(normOFF)概念,同時也在生命週期上達到最佳的適性。而CoolGaN開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,進而大幅提高工作頻率,從而縮小被動元件的總體尺寸,提高功率密度。

鄧巍進一步指出,英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正器(PFC)具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%),相同能效下的功率密度可達到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在諧振拓撲中,CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。

他也強調,英飛凌非常重視產品的品質,尤其在產品的可靠性上,不僅對元件本身有嚴格的品管,同時也針對應用環境中的性能進行全面測試,以確保CoolGaN開關滿足最高品質標準。

目前CoolGaN 600 V增強型HEMT提供70 m?和190 m?的SMD封裝,以滿足不同的散熱需求和低寄生效應。另也推出全系列SMD封裝產品,支援高頻運行的應用,如企業級資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。

而針對旗下CoolGaN產品的獨特設計,英飛凌也推出了相對應的氮化鎵EiceDRIVER驅動IC:1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H。

英飛凌表示,EiceDRIVER是專為優化CoolGaN性能所設計,能實現強固且高效的運作,同時也能減少工程師的研發負擔,加快產品上市時程。

鄧巍解釋,英飛凌的柵極驅動IC可提供負輸出電壓,以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內,GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受雜訊影響導致誤導通,即便是首脈衝。此外,氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作迴圈或開關速度影響。

而在供貨方面,英飛凌表示,目前全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現已開始供貨,矽基GaN EiceDRIVER IC可供預訂。

關鍵字: GaN  SiC  Infineon(英飛凌
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