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5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2020年03月02日 星期一

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光電協進會(PIDA)指出,氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分,但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率,設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件,特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署(包括毫米波段)。

光電協進會林政賢產業分析師表示,根據Strategy Analytics市場預測,RF GaN元件在2018年至2023年的營收增長了22%,將會在2023年超過17億美元。這種快速增長的動力來自4G基地台部署普及和電信基地台升級,以及國防、雷達、衛星通訊應用上取代LDMOS元件。林政賢認為,LDMOS可能在兩年,甚至三年內仍將是基地台最大的電源技術,在未來小於6GHz頻率與高頻毫米波的5G頻譜組合,GaN市場將更加顯著。

隨著功率及射頻元件發展趨勢,GaN部署的態勢逐漸明朗,全球各家廠商都已開始往GaN材料做研發與專利佈局,諸如科銳(Cree)、住友電工(Sumitomo Electric)、英特爾(Intel)等爭搶次世代科技專利主導權。台灣方面的砷化鎵(GaAs)廠商亦開始看重並轉進投資GaN 晶圓製造、封裝測試,諸如:台積電已提供6吋 GaN-on-Si 晶圓代工服務;嘉晶6 吋GaN-on-Si 磊晶矽晶圓,已進入國際IDM廠認證階段;穩懋6吋GaN-on-SiC 晶圓代工服務,瞄準高功率PA 及天線等地應用,台廠在全球半導體產業鏈上中游占據重要地位。

台積電就在2月宣布和意法半導體共同合作氮化鎵製程技術的研發,希望加速分離式與整合式氮化鎵元件產品導入市場。世界先進和Qromis共同合作開發8 吋GaN-on-QST,預估今年會有小量送樣的進度。在功率產品上,小米本月在發布會宣布推出導入GaN 技術的65W快充插頭,GaN晶片是由納微半導體 (Navitas),只需45分鐘就可為小米10 Pro手機充滿電。

關鍵字: PIDA 
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