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ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨 報導】   2024年01月31日 星期三

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半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路,推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體(SBD)「YQ系列」。

ROHM新款100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構,兼顧VF和IR得以顯著改善效能,適用於汽車LED頭燈等高速開關應用。
ROHM新款100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構,兼顧VF和IR得以顯著改善效能,適用於汽車LED頭燈等高速開關應用。

二極體的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD,其VF低於平面結構的SBD,因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品,其trr比平面結構的差,因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題,ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。

繼支援各種電路應用的4個SBD系列產品後推出的新「YQ系列」,也是ROHM首款採用溝槽MOS結構的二極體。該系列利用ROHM獨家結構設計,實現業界最高等級trr(15ns),與同樣採用溝槽MOS結構的市場競品相比,trr單項的損耗降低約37%,總開關損耗降低約26%,有助於降低應用產品功耗。

另外透過採用溝槽MOS結構,與以往採用平面結構的SBD相比,順向施加時的損耗VF和逆向施加時的損耗IR均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等順向使用時的功率損耗,還可以降低SBD最令人擔心的熱失控風險。這些優勢使該系列產品適用於容易發熱的車載LED頭燈的驅動電路、xEV用DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。

新品從2023年12月起已全部投入量產,樣品也開始透過電商平台銷售。

關鍵字: SBD  ROHM 
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