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ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2021年11月04日 星期四

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意法半導體(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器,其採用了節省空間的窄體SO-8封裝,具備穩定的效能和精準的PWM控制。

意法半導體的穩定的隔離式SiC閘極驅動器,採用窄型SO-8封裝節省空間
意法半導體的穩定的隔離式SiC閘極驅動器,採用窄型SO-8封裝節省空間

SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率,而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間,並加強穩定性和可靠性。目標應用包括電動汽車充電系統、開關模式電源、高壓功率因數校正器(PFC)、DC/DC轉換器、不斷電供應系統(UPS)、太陽能發電、馬達驅動設備、風扇、工廠自動化、家電,以及電磁感應加熱器。

STGAP2SiCSN在閘極驅動通道和低壓控制之間具備了電氣隔離,在高壓軌上可承受高達1700V 的電壓。輸入到輸出傳送時間低於75ns,確保PWM高精度的控制,以及±100V/ns共模瞬態抗擾度(CMTI) 確保開關可靠性。內建保護功能,包括欠壓鎖定和熱關機,欠壓鎖定(UVLO)透過閾值電壓防止SiC電源開關在低效能或不安全條件下運作。在偵測到接面溫度過高後,熱關機降低驅動器的兩個輸出。

新產品提供兩種配置選擇,獨立多輸出可以使用外部電阻個別最佳化的導通和關斷時間,而單輸出配置具有米勒鉗位(Miller clamp)功能,可以增強高頻硬開關應用的穩健性,利用米勒鉗位防止功率開關過度振盪。

STGAP2SiCSN邏輯輸入相容最低3.3V的TTL和CMOS邏輯訊號,其簡化了與主微控制器或DSP處理器的連線。在最高26V的閘極驅動電壓下,驅動器的最大灌電流和拉電流均為4A。晶片上結合自舉二極體可簡化設計並提升可靠性,關斷模式有獨立輸入腳位,有助於最大限度地降低系統功耗。

STGAP2SiCSNTR現已上市,其採用 5mm x 4mm窄體SO-8N封裝。

關鍵字: SiC  GaN  ST(意法半導體
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