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高容量/高性能/小尺寸 三星推出第四代V-NAND
 

【CTIMES/SmartAuto 邱倢芯 報導】   2016年08月15日 星期一

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Samsung(三星)於2016年的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)展示了其第四代Vertical NAND(V-NAND)技術,與一系列的高性能、高容量固態硬碟(SSD),以提供其企業客戶與Z-SSD一套全新解決方案,該解決方案可提供基於快閃記憶體的儲存裝置嶄新性能。

三星推出新一代V-NAND快閃記憶體。
三星推出新一代V-NAND快閃記憶體。

三星電子記憶體事業部總裁Young-Hyun Jun表示,該公司最新推出的第四代V-NAND技術,可提供高容量、高性能,以及更小的尺寸,將有助於其客戶實現更好的總持有成本(Total Cost of Ownership,TCO)。

Jun進一步表示,該公司也將繼續推出更先進的V-NAND解決方案,且擴大閃存業務,並大大地提升產品性能與整體產品價值。

三星第四代V-NAND增加了30%的堆疊單元陣列,該公司推出的第四代、六十四層三階儲存單元(Triple-Level-Cell)V-NAND快閃記憶體,可促使NAND的封裝更加緊密,且提高性能與存儲容量。六十四層的堆疊單元陣列,可使新式V-NAND增加512GB的單晶片密度,以及將IO速度提升至800Mbit/s。

據了解,第四代V-NAND將在2016年第四季開始供貨,屆時將可協助製造商生產速度加快,且讓設備更加輕便可攜,同時可提供消費者更加靈活的運算環境。

關鍵字: V-NAND  快閃記憶體高峰會  Z-SSD  三星(Samsung
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