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意法半导体全桥SiP 内建MOSFET、闸极驱动器和保护技术
 

【CTIMES 报导】   2017年12月07日 星期四

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意法半导体(ST)的PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内整合一个完整的600V/8A MOSFET全桥电路,能够为工业马达驱控制器、整流器、电源、功率转换器和逆变器厂商节省物料成本和电路板空间。

意法半导体完整全桥系统封装内建MOSFET、闸极驱动器和保护技术可节省空间、简化设计并精简组装。
意法半导体完整全桥系统封装内建MOSFET、闸极驱动器和保护技术可节省空间、简化设计并精简组装。

相较於采用其他离散元件设计的全桥电路,其可节省60%的电路板空间,PWD13F60还能提升最终应用功率的密度。通常市面上销售的全桥模组为双FET半桥或六颗FET三相产品,但PWD13F60则整合了四颗功率MOSFET,是一个高效能的替代方案。有别於其他产品,仅需一个PWD13F60即可完成单相全桥设计,这让内部MOSFET元件不会被闲置。新全桥模组可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。

透过意法半导体的高压 BCD6s-Offline制程,PWD13F60整合了功率 MOSFET闸极驱动器和上桥臂驱动自举二极体,其设计的好处是简化电路板设计、精简组装过程,而且节省外部元件的数量。闸极驱动器经过优化和改进,取得高切换的可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能,有助於进一步降低占位元之面积,同时确保系统安全。

PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的宽工作电压、配置灵活性,以及让设计简易性得到最大限度的提升。此外,新系统封装输入针脚还能接受 3.3V-15V逻辑讯号,连接微控制器(MCU)、数位文书处理器(DSP)或霍尔感测器将变得十分容易。

關鍵字: SiP封装  ST 
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