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CoolSiC MOSFET与TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B 封装
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年08月07日 星期三

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相较於传统 3 阶中点箝位拓扑,进阶中点箝位 (ANPC) 变频器设计可支援半导体装置间的均匀损耗分布。英飞凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 与 IGBT 功率模组新增采用 ANPC 拓扑的 EasyPACK 2B封装。此模组分别针对 CoolSiC MOSFET 和 TRENCHSTOP IGBT4 晶片组的损耗甜蜜点进行最隹化,因此具有更高的功率密度及高达 48 kHz 的切换频率,特别适合新一代 1500 V 太阳能光电和储能应用的需求。

英飞凌混合式EasyPACK 2B此模组分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片组的损耗甜蜜点进行最隹化,因此具有更高的功率密度及高达 48 kHz 的切换频率,特别适合新一代1500V太阳能光电和储能应用的需求。
英飞凌混合式EasyPACK 2B此模组分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片组的损耗甜蜜点进行最隹化,因此具有更高的功率密度及高达 48 kHz 的切换频率,特别适合新一代1500V太阳能光电和储能应用的需求。

全新 ANPC 拓扑支援 99% 以上的系统效率。比起具有较低切换频率的装置,在像是 1500 V太阳能串列型变频器的 DC/AC 级中实作混合式 Easy 2B 功率模组,可实现更小的线圈。因此,其重量将远低於采用全矽组件的相应变频器。除此之外,使用碳化矽的损耗也小於矽的损耗,如此一来,须排放的热减少了,也可缩小散热器的尺寸。整体来说,可打造更精巧外型的变频器,并节省系统成本。相较於 5 阶拓扑,3 阶的设计可降低变频器设计的复杂度。

采用Easy 2B 标准封装的功率模组具有领先业界的低杂散电感特性。此外,CoolSiC MOSFET 晶片的整合式本体二极体可确保低损耗续流功能,无须额外的 SiC 二极体晶片。NTC 温度感测器有助於监控装置,PressFIT 压接技术则可缩短生产时的组装时间。

關鍵字: Infineon 
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