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ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET SCT3xxx xR系列
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年09月24日 星期二

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半导体制造商ROHM推出6款沟槽闸结构SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」产品(耐压650V/1200V),适用於有高效率需求的伺服器电源、太阳能变流器及电动车充电站等应用。

评估板结构
评估板结构

此次新研发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能。与传统3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可减少约35%,有助於大幅降低各类应用装置的功耗。

另外ROHM也已开始供应SiC MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001,其内建适合驱动SiC元件的ROHM闸极驱动器IC(BM6101FV-C)、各类电源IC及离散式产品,是一款容易进行元件评估的解决方案。

本系列产品已於2019年8月起以每月50万个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起,不含税)。制造据点为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。

近年来随着AI和IoT的发展,云端服务的需求日益增加的同时,全球对资料中心的需求也随之成长。资料中心所用的伺服器正朝着大容量、高性能方向发展,因此降低功耗便成为必须面对的问题。另一方面,传统伺服器的功率转换电路中,主要是采用矽(Si)元件,但目前市场对损耗更低的SiC元件寄予更高的期??。尤其,与传统封装相比,采用TO-247-4L封装的SiC MOSFET,可降低开关损耗,因此有??用於伺服器、基地台、太阳能发电等高输出设备。

既2015年ROHM领先全球成功量产沟槽闸结构SiC MOSFET後,此次开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会在开发各种革新性元件的同时,推出适合SiC驱动的闸极驱动器IC解决方案,降低各类设备的功耗。

特点

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗减少约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感成分易引起闸极电压下降,并延迟开关速度。

本次SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此可减低电感成分的影响,充分发挥SiCMOSFET高速开关的性能,还且还能够大幅改善导通损耗。且与传统产品相比,导通损耗和关断损耗合计约可减少35%的损耗。

产品阵容

SCT3xxx xR系列为采用沟槽闸结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括3款650V的机型和3款1200V的机型。

应用范例

伺服器、基地台、太阳能逆变器、蓄电系统、电动车充电站等。

评估板资讯

SiC MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001中内建适合於驱动SiC元件的ROHM闸极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及离散式产品,可轻易进行评估。为了提供相同条件的评估环境,该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品,还能安装并评估TO-247N封装的产品。另外该评估板还可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。

關鍵字: MOSFET  SiC  ROHM 
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