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意法半導體全橋SiP 內建MOSFET、閘極驅動器和保護技術
 

【CTIMES 報導】   2017年12月07日 星期四

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意法半導體(ST)的PWD13F60系統封裝(SiP)產品在一個13mm x 11mm的封裝內整合一個完整的600V/8A MOSFET全橋電路,能夠為工業馬達驅控制器、整流器、電源、功率轉換器和逆變器廠商節省物料成本和電路板空間。

意法半導體完整全橋系統封裝內建MOSFET、閘極驅動器和保護技術可節省空間、簡化設計並精簡組裝。
意法半導體完整全橋系統封裝內建MOSFET、閘極驅動器和保護技術可節省空間、簡化設計並精簡組裝。

相較於採用其他離散元件設計的全橋電路,其可節省60%的電路板空間,PWD13F60還能提升最終應用功率的密度。通常市面上銷售的全橋模組為雙FET半橋或六顆FET三相產品,但PWD13F60則整合了四顆功率MOSFET,是一個高效能的替代方案。有別於其他產品,僅需一個PWD13F60即可完成單相全橋設計,這讓內部MOSFET元件不會被閒置。新全橋模組可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋。

透過意法半導體的高壓 BCD6s-Offline製程,PWD13F60整合了功率 MOSFET閘極驅動器和上橋臂驅動自舉二極體,其設計的好處是簡化電路板設計、精簡組裝過程,而且節省外部元件的數量。閘極驅動器經過優化和改進,取得高切換的可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能,有助於進一步降低佔位元之面積,同時確保系統安全。

PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的寬工作電壓、配置靈活性,以及讓設計簡易性得到最大限度的提升。此外,新系統封裝輸入針腳還能接受 3.3V-15V邏輯訊號,連接微控制器(MCU)、數位文書處理器(DSP)或霍爾感測器將變得十分容易。

關鍵字: Sip封裝  ST(意法半導體
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