帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
ADI與Microsemi推出用於 SiC功率模組的高功率隔離閘極驅動器板
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年03月07日 星期三

瀏覽人次:【6378】

亞德諾(ADI)與Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半橋SiC功率模組的高功率評估板,該評估板在200kHz開關頻率時可提供最高1200V電壓及50A電流。隔離板旨在提高設計可靠性,同時減少創建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本並縮短上市時程。

ADI用於Microsemi SiC功率模組的高功率和高電壓隔離閘極驅動器板加速產品上市
ADI用於Microsemi SiC功率模組的高功率和高電壓隔離閘極驅動器板加速產品上市

ADI和Microsemi並將於2018年3月4日至8日於美國德州聖安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估板。

新評估板可用於更複雜拓樸(例如全橋或多位準轉換器)的構建模組,以進行對客戶解決方案的完整工作台調試,其同樣可作為最終評估平台或用於類似轉換器的配置中,以全面測試和評估ADI採用iCoupler數位隔離技術的ADuM4135隔離閘極驅動器和高功率系統的LT3999 DC-DC驅動器。

該高功率評估板使Microsemi的SiC功率模組可提供諸多優勢,例如:通用測試台,提供更高功率密度以縮減尺寸和成本,透過隔離導電襯底和最小寄生電容達到更高效率、性能和卓越的熱管理。這些特性使該評估板適於諸多應用,包括電動汽車(EV)充電、混合動力汽車(HEV)/EV車載充電、DC-DC轉換器、開關電源、高功率電機控制和航空作動器系統、等離子/半導體製造設備、鐳射和焊接、MRI和X光設備等。

關鍵字: SiC  功率模組  ADI(美商亞德諾Microsemi 
相關產品
英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組
英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率
ADI推出超低雜訊雙輸出DC/DC μModule穩壓器
ADI O-RU參考設計平台 助力設計人員縮短產品上市時間
  相關新聞
» 攸泰科技五月上市 首度公開GEO系統、無人機和控制器搶市
» 豪威汽車影像感測器高通數位底盤 可用於次代ADAS系統
» Palo Alto Networks:2023年勒索軟體攻擊增49% 台灣製造業影響最深
» 意法半導體擴大3D深度感測布局 打造新一代時間飛行感測器
» 友達衝刺Micro LED市場 將展出智慧座艙、零售、醫療多元應用
  相關文章
» 新一代4D成像雷達實現高性能
» 2024年嵌入式系統的三大重要趨勢
» 利用微小型溫濕度感測器精準收集資料
» MCX A:通用MCU和FRDM開發平台
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.189.170.17
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw