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英飞凌800 V CoolMOS P7系列为效率和散热性树立新标竿
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年09月21日 星期三

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【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出 800 V CoolMOS P7 系列产品。采用 Superjunction 技术,800 V MOSFET 不但拥有同级最佳化效能且相当易于使用。新产品适用于低功率 SMPS 应用,完全符合市场对于效能、简易设计和性价比的需求,并主要着重于充电器、LED 照明、音讯、工业与辅助电力等应用中常见的返驰式拓朴。

800V CoolMOS P7 系列提供高达 0.6% 的效率增益,且相较于类似产品可为 MOSFET 降温摄氏 2度到 8度。
800V CoolMOS P7 系列提供高达 0.6% 的效率增益,且相较于类似产品可为 MOSFET 降温摄氏 2度到 8度。

800 V CoolMOS P7 系列提供高达 0.6% 的效率增益。相较于 CoolMOS C3 或其他品牌元件,本系列在典型返驰式应用测试中,可为 MOSFET 降温摄氏 2 度到 8度。这项新标竿是结合最佳化装置参数的成果:包括降低超过 50% 的 Eoss 与 Qg 及减少 Ciss 与 Coss。更优异的效能可透过更低的切换损耗和更佳的 DPAK RDS(on) 产品,实现更高功率密度的设计。整体而言,可帮助客户节省 BOM 成本并减少组装的工作量。

本系列产品的另一项特色是非常易于使用,整合型齐纳二极体可大幅提升 ESD 耐用性,因而减少 ESD 相关的产品良率损失。藉由V(GS)th=3V 和仅+/-0.5 V 的最小V(GS)th 变动,MOSFET 不但易于驱动和纳入设计,这样的组合可达成更低的驱动电压和切换损耗,并有助于避免线性区域的非预期操作。

800 V CoolMOS P7 MOSFET 系列产品将推出 12 种 RDS(on) 等级和 6 种封装方式,以充分因应主要应用的需求。 280微欧姆、450 微欧姆、1400 微欧姆及 4500 微欧姆的 RDS(on) 产品现已可订购。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: MOSFET  CoolMOS  散热性  充电器  LED照明  音訊  辅助电力  Infineon  Infineon  电子逻辑组件  电池充电器 
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